等離子體浸沒(méi)摻雜(PIIID)技術(shù)最初是1986年在制備冶金工業(yè)中抗蝕耐磨合金時(shí)提出的,也稱RT8207LZQW等離子體離子注人、等離子體摻雜或等離子體源離子注人摻雜。1988年,該技術(shù)開(kāi)始進(jìn)人半導(dǎo)體材料摻雜領(lǐng)域,用于薄膜晶體管的氧化、高劑量注入形成埋置氧化層、溝槽摻雜、吸雜重金屬的高劑量氫注人等工序。與傳統(tǒng)注人技術(shù)不同,PIIID系統(tǒng)不采用注人加速、質(zhì)量分析和離子束掃描等工藝。在 PⅢD操作系統(tǒng)中,一個(gè)晶片放在鄰近等離子體源的加工腔中,該晶片被包含摻雜離子的等離子體包圍。當(dāng)一個(gè)負(fù)高壓施加于晶片底座時(shí),電子將被排斥而摻雜離子將被加速穿過(guò)鞘區(qū)而摻雜到晶片中。PIIID技術(shù)用于CMOs器件超淺結(jié)制備的優(yōu)點(diǎn)如下:

   ①以極低的能量實(shí)現(xiàn)高劑量注入;

   ②注人時(shí)間與晶片的大小無(wú)關(guān);

   ③設(shè)備和系統(tǒng)比傳統(tǒng)的離子注人機(jī)簡(jiǎn)單,因而成本低。

   所以可以說(shuō),這一技術(shù)高產(chǎn)量、低設(shè)備成本的特點(diǎn)符合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主體發(fā)展的方向,此為考慮將該技術(shù)用于源-漏注人的主要原因。目前,PIIID技術(shù)已成功地用來(lái)制各0,18um CMOS器件,所獲得器件的電學(xué)特性明顯優(yōu)于上述傳統(tǒng)的離子注人技術(shù)。以前PIIID技術(shù)的主要缺點(diǎn)是:硅片會(huì)被加熱、污染源較多、與光膠有反應(yīng)、難以測(cè)定放射量。可是,現(xiàn)在PIII1,系統(tǒng)的污染已經(jīng)穩(wěn)定地減小到半導(dǎo)體I業(yè)協(xié)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn),減小與光刻膠的反應(yīng)將是今后PIIID技術(shù)應(yīng)用之關(guān)鍵。