高密度等離子體(Higll Den“ty PlⅡma,HDP)技術(shù)是在⒛世紀(jì)80年代末90年代初發(fā)展起來的新一代等離子體技術(shù)。直流和射頻放電產(chǎn)生的等離子體中離子和活性基團(tuán)的濃度都較低,在集成電路工藝需求的推動下,K4B1G0846F-HCF8開發(fā)了多種產(chǎn)生高密度等離子體的新技術(shù),有電感耦合HDP、磁控HDP和電子回旋共振(ECR)HDP技術(shù)等。高密度等離子體的離子濃度超過10111ons/cm3。HDP系統(tǒng)一般都是在簡單等離子體發(fā)生器上增設(shè)電場和磁場,用橫向電場和磁場來增加電子在等離子體中的行程,從而使電子和原子(或分子)之間碰撞更加頻繁,以增加等離子體中的離子和活性基團(tuán)。如圖⒎17是在一個普通等離子發(fā)生器上增加橫向磁場,在洛倫茲力的束縛下電子在電極附近做圓弧運(yùn)動.

   而離子質(zhì)量較大,在磁場中的運(yùn)動半徑較大,在完成一周運(yùn)動之前就發(fā)生放電了。電感耦合FlL,P、磁控IIDP系統(tǒng)和普通等離子系統(tǒng)相比,工作氣壓低,可達(dá)1Pa以下,直流偏壓較低,可在幾十伏,頻率一般為13.56M比。而ECR等離子體系統(tǒng)頻率高。ECR等離子體系統(tǒng)是采用較多的HDP系統(tǒng),在ECR等離子體中電子的運(yùn)動軌跡如圖⒎18所示。設(shè)交變電場E=E)∞s(ωr),電子在電場中左右振蕩,磁場使電子上下偏轉(zhuǎn),電場頻率為電子回旋共振頻率.