采用交變電場代替直流電場激發(fā)氣體輝光放電時,如果交變電場

是50~60Hz的低頻電場, K4B1G0846E-HCK0因頻率較低,氣體輝光放電類似于直流情況,只是陰極和陽極兩個電極交替變換極性,在放電外貌上是兩個不同極性下放電外貌的疊加,而發(fā)光強度是一個周期內的平均值。當頻率高達5~30MHz的射頻時,與直流放電現(xiàn)象就很不相同了。國際上通常采用的射頻頻率多為美國聯(lián)邦通訊委員會建議的13.56MHz。

   射頻氣體輝光放電裝置如圖⒎16所示。在激發(fā)裝置如圖⒎16(a)所示的玻璃管內,氣體真空度范圍比直流時略低,L和R極之間加載射

頻(5~30MHz)范圍的交變電壓。因為電場周期性地改變方向,則帶

電粒子不易到達電極而離開放電空間,這樣就相對地減少了帶電粒子的損失。同時在兩極之間不斷振蕩運動的電子可以從高頻電場中獲得足夠的能量并與氣體分子碰撞,使得電子和離子濃度高于直流輝光放電時的濃度,因此只要有較低的電場就可以維持輝光放電。而陰極 產(chǎn)生的二次電子發(fā)射也不再是氣體擊穿的必要條件。另外,射頻電場與直流電場的不同還在于可以通過任何一種類型的阻抗方式與氣體耦合,所以電極與氣體接觸表面可以是導體,也可是絕緣體。由圖⒎16(b)所示的平均電位分布可知,等離子體電位高于兩極,這是等離子鞘效應帶來的,如果兩個電極面積相同,AI'=AR,電勢差應相同,有VL=VR;如果兩電極面積不同,AI≠AR,考慮流過等離子體的電流,當前,采用射頻氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體是利用等離子體技術的集成電路工藝中最常采用的方法,射頻發(fā)生器的頻率在13.56MHz,兩個電極與等離子體接觸的表面可以是絕緣體,兩電極面積之比是隨具體設備及用途可變化的。射頻放電的激發(fā)源有兩種類型,一種是用高頻電場直接激發(fā)的,稱為E型放電;另一種是用高頻磁場感應激發(fā)的,稱為H型放電。