采用交變電場(chǎng)代替直流電場(chǎng)激發(fā)氣體輝光放電時(shí),如果交變電場(chǎng)

是50~60Hz的低頻電場(chǎng), K4B1G0846E-HCK0因頻率較低,氣體輝光放電類似于直流情況,只是陰極和陽(yáng)極兩個(gè)電極交替變換極性,在放電外貌上是兩個(gè)不同極性下放電外貌的疊加,而發(fā)光強(qiáng)度是一個(gè)周期內(nèi)的平均值。當(dāng)頻率高達(dá)5~30MHz的射頻時(shí),與直流放電現(xiàn)象就很不相同了。國(guó)際上通常采用的射頻頻率多為美國(guó)聯(lián)邦通訊委員會(huì)建議的13.56MHz。

   射頻氣體輝光放電裝置如圖⒎16所示。在激發(fā)裝置如圖⒎16(a)所示的玻璃管內(nèi),氣體真空度范圍比直流時(shí)略低,L和R極之間加載射

頻(5~30MHz)范圍的交變電壓。因?yàn)殡妶?chǎng)周期性地改變方向,則帶

電粒子不易到達(dá)電極而離開放電空間,這樣就相對(duì)地減少了帶電粒子的損失。同時(shí)在兩極之間不斷振蕩運(yùn)動(dòng)的電子可以從高頻電場(chǎng)中獲得足夠的能量并與氣體分子碰撞,使得電子和離子濃度高于直流輝光放電時(shí)的濃度,因此只要有較低的電場(chǎng)就可以維持輝光放電。而陰極 產(chǎn)生的二次電子發(fā)射也不再是氣體擊穿的必要條件。另外,射頻電場(chǎng)與直流電場(chǎng)的不同還在于可以通過任何一種類型的阻抗方式與氣體耦合,所以電極與氣體接觸表面可以是導(dǎo)體,也可是絕緣體。由圖⒎16(b)所示的平均電位分布可知,等離子體電位高于兩極,這是等離子鞘效應(yīng)帶來(lái)的,如果兩個(gè)電極面積相同,AI'=AR,電勢(shì)差應(yīng)相同,有VL=VR;如果兩電極面積不同,AI≠AR,考慮流過等離子體的電流,當(dāng)前,采用射頻氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體是利用等離子體技術(shù)的集成電路工藝中最常采用的方法,射頻發(fā)生器的頻率在13.56MHz,兩個(gè)電極與等離子體接觸的表面可以是絕緣體,兩電極面積之比是隨具體設(shè)備及用途可變化的。射頻放電的激發(fā)源有兩種類型,一種是用高頻電場(chǎng)直接激發(fā)的,稱為E型放電;另一種是用高頻磁場(chǎng)感應(yīng)激發(fā)的,稱為H型放電。