集成電路工藝中除了采用上述3種CVD方法制備薄膜之外,還有熱絲化學(xué)氣相淀積(HWCⅥ⑵、MOCVD、等。CXJD薄膜制各工藝方法的進(jìn)展,一方面是常規(guī)LPCVD和PECVD技術(shù)的進(jìn)步,這主要表現(xiàn)在工藝設(shè)備的發(fā)展完善,如HDRCVD等;另-方面是新工藝方法在集成電路工藝中的應(yīng)用,如HWCVD等。 K4B1G0846G-BCH9

   高密度等離子體化學(xué)氣相淀積

   高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(I】DP60)是在PEC、0基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新技術(shù),在⒛世紀(jì)∞年代中期才得到了廣泛應(yīng)用。它的主要特點(diǎn)是淀積薄膜的臺(tái)階覆蓋特性好,即使淀積溫度只有3O0~⑽0℃,也能磁場(chǎng)線圈 在有高深寬比微結(jié)構(gòu)的襯底上制備出有較好臺(tái)階覆

蓋效果的薄膜。因此,它常用于集成電路淺槽隔離工藝的介質(zhì)薄膜淀積,以及多層金屬化系統(tǒng)中的層間介質(zhì)薄膜和低乃介質(zhì)薄膜的淀積。

    圖⒎22所示是電子回旋共振PECˇD設(shè)備示意圖。微波功率(2,45GHz)導(dǎo)人等離子體室,工作氣體(1)為氮?dú)?N2)。由于特定磁場(chǎng)的存在,自由電子在等離子室中回旋共振,因此,在等離子室中形成含 高密度N+的等離子體。而I作氣體(2)為硅烷,直接進(jìn)人襯底淀積室,激發(fā)形成等離子體。襯底硅片放在淀積室電極上,由于等離子鞘現(xiàn)象,相對(duì)于等離子體而言電為低電位,含高密度Ni的等離子體從窗口射人直達(dá)襯底,氮?dú)夂凸柰閮傻入x子體混合,在襯底淀積出氮化硅薄膜,同時(shí)由于N+的轟擊、濺射,使得淀積的氮化硅薄膜可以填充深寬比為3:1到4:1,甚至更大的孔洞和溝槽。應(yīng)用HDP CVD淀積薄膜的質(zhì)量與速率不僅與等離子源的性質(zhì)相關(guān),還與反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)及細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)有很大關(guān)系。