在溫度低于580℃時(shí)淀積的薄膜基本上是非晶態(tài),在高于580℃時(shí)淀積的薄膜基本上是多晶態(tài)。在5glJ~600℃范圍內(nèi)淀積的薄膜傾向于〈311〉晶向; ACT4533AYH-T而低溫淀積的非晶態(tài)薄膜在900~10O0℃范圍內(nèi)重新晶化時(shí),晶粒更傾向于〈111〉晶向,而且再結(jié)晶時(shí),晶粒的結(jié)構(gòu)與尺寸重復(fù)性非常好。另外,以較慢的淀積速率(如580℃時(shí),約51ml/血n;600℃時(shí),約10nη/雨n)直接淀積的非晶薄膜的表面更為平滑,而且這個(gè)平滑表面在經(jīng)歷900~10OO℃退火后仍然保持平整。晶粒的平均粒度隨著薄膜的厚度指數(shù)增加。

   在某些特殊場(chǎng)合需要制備大粒度多晶硅時(shí),可用連續(xù)激光(或其他輻射束)熔化小粒度的多晶硅,再結(jié)晶,就生成大粒度的多晶硅,晶粒粒度增大,載流子的遷移率升高,再結(jié)晶重?fù)诫s薄膜中載流子的遷移率能增加約一倍。對(duì)于輕摻雜薄膜,利用輻射束再結(jié)晶來增加晶粒體積,也會(huì)顯著降低電阻率。

   在集成電路制造中實(shí)際應(yīng)用的主要是摻雜多晶硅薄膜,特別是重?fù)诫s多晶硅薄膜。多晶硅薄膜的摻雜可以在C`0淀積過程中直接進(jìn)行氣相摻雜,也可以在薄膜淀積完成之后通過離子注人或擴(kuò)散進(jìn)行摻雜.