經(jīng)過曝光和曝光后烘焙之后,就可以進(jìn)行顯影。在顯影HAT2198R-EL-E過程中,正膠的曝光區(qū)和負(fù)膠的非曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解,而正膠的非曝光區(qū)和負(fù)膠的曝光區(qū)的光刻膠則不會(huì)在顯影液中溶解(或很少溶解)。這樣,曝光后在光刻膠層中形成的潛在圖形,經(jīng)過顯影便顯現(xiàn)出來,形成三維光刻膠圖形,這一步驟稱為顯影。

    正膠經(jīng)過曝光以后成為羧酸,可以被堿性的顯影液中和,反應(yīng)生成的胺和金屬鹽可以快速溶解于顯影液中。非曝光區(qū)的光刻膠由于在曝光時(shí)并未發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),在顯影時(shí)也就不存在這樣的酸堿中和,因此非曝光區(qū)的光刻膠被保留下來。經(jīng)過曝光的正膠是逐層溶解的,中和反應(yīng)只在光刻膠的表面進(jìn)行,因此正膠受顯影液的影響相對(duì)比較小。對(duì)于負(fù)膠來說,非曝光區(qū)的負(fù)膠在顯影液中首先形成凝膠體,然后再分解掉,這就使得整個(gè)的負(fù)膠層都被顯影液浸透。在被顯影液浸透之后,曝光區(qū)的負(fù)膠將會(huì)膨脹變形。因此,相對(duì)來說,使用正膠可以得到更高的分辨率。另外,為了提高分辨率,目前每一種光刻膠幾乎都配有專用的顯影液,以倮證高質(zhì)量的顯影效果。

   顯影后所留下的光刻膠圖形將在后續(xù)的刻蝕或離子注人工藝中作為掩膜,因此,顯影也是一步重要工藝。嚴(yán)格地說,在顯影時(shí)曝光區(qū)與非曝光區(qū)的光刻膠都有不同程度的溶解。曝光區(qū)與非曝光區(qū)的光刻膠的溶解速度反差越大,顯影后得到的圖形對(duì)比度越高。影響顯影效果的主要因素包括:①曝光時(shí)間;②前烘的溫度和時(shí)間;③光刻膠的膜厚;④顯影液的濃度;⑤顯影液的溫度;⑥顯影液的攪動(dòng)情況等。

   進(jìn)行顯影的方式有許多種,目前廣泛使用的是噴灑方法。這種顯影方式可分為3個(gè)階段:①硅片被置于旋轉(zhuǎn)臺(tái)上旋轉(zhuǎn),并且在硅片表面上噴灑顯影液;②硅片在靜止的狀態(tài)下進(jìn)行顯影;③顯影完成之后,需要經(jīng)過漂洗,之后再旋干。顯影之后對(duì)硅片進(jìn)行漂洗和甩干,是因?yàn)樵陲@影液沒有完全清除之前,仍然在起作用。噴灑方法的優(yōu)點(diǎn)在于它可以滿足I藝流水線的要求。