對比度是評價成像圖形質(zhì)量的重要指標。對比度越高,光刻出來的微細圖形越好。一般要求CON>0.5,它與圖形的尺寸有關(guān)。

   尺寸控制的要求是以高準度和高精度在完整硅片表面產(chǎn)生器件特征尺寸。為此,PMBT3904YS首先要在圖形轉(zhuǎn)移工具(光刻掩模板)丨1正確地再造出特征圖形,然后再準確地在硅片表面刻印出來(翻印或刻蝕)c由于光刻應(yīng)用的特征尺寸非常小,且各層都需精確匹配,所以需要配合緊密。圖形套準精度是衡量被刻印的圖形能否匹配前面刻印圖形的一種尺度光刻技術(shù)在半導(dǎo)體器件制造中的應(yīng)用可以追溯到1958年。在采用了光刻技術(shù)之后,研制成功了平面型晶體管,推動了集成電路的發(fā)明。由1959年集成電路發(fā)明至今的50多年中,集成電路的集成度不斷提高,器件的特征尺寸不斷減小。在這個時期中,集成電路圖形的線寬縮小了約5個數(shù)量級;目前已經(jīng)普遍采用線寬為28~45nm的加I技術(shù);同時,電路的集成度提高了7個數(shù)量級以上,在集成電路芯片中可以包含千萬以至幾億數(shù)量級的器件。這些成就主要應(yīng)歸功于光刻技術(shù)的進步。光刻1um以下的線寬在技術(shù)上已是非常高的水平,在此基礎(chǔ)上進一步縮小光刻圖形尺寸會遇到一系列技術(shù)上甚至理論上的難題。日前大批的科學(xué)家和工程師正在從光學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、精密機械、自動化及電子技術(shù)等不同的途徑對光刻技術(shù)進行著廣泛的研究和探索。