制各摻雜多晶硅薄膜通常是采取兩步工藝:先LPCVD本征多晶硅薄膜,然后再進行離子注人或擴散摻雜。

   離子注入摻雜的優(yōu)點是可以精確控制摻人雜質(zhì)的劑量,適合不同摻雜濃度的多晶硅薄膜。選擇ACT8600QJ162-T合適的注人能量可以使雜質(zhì)濃度的峰值處于多晶硅薄膜的中部,在隨后的退火過程中,摻人雜質(zhì)被激活,并發(fā)生雜質(zhì)再分布。退火方法有高溫退火和快速退火。高溫退火工藝條件:約900℃,30min。目前多采用快速退火方法,在約1150℃,不到30s,注入雜質(zhì)就被激活,雜質(zhì)在多晶硅薄膜中再分布�？�速退火持續(xù)時間很短,避免了襯底硅中的雜質(zhì)再分布。

    而本征多晶硅薄膜的擴散摻雜,工藝溫度在900~1000℃范圍,制備n型多晶硅薄膜的摻雜劑主要是POCl3、PH3,摻雜濃度可達1021孜om√cm3。擴散摻雜方法的優(yōu)點是薄膜中摻人的雜質(zhì)濃度很高,可以超過單晶硅的固溶度,這是因為在晶粒/晶界之間存在雜質(zhì)分凝,由此可以獲得較低電阻率多晶硅薄膜。