多晶硅薄膜厚度在nm或um數(shù)量級,通常為幾十nm,而雜質(zhì)在晶界中的快速擴散,使得雜ACT8601QJ318-T質(zhì)在多晶硅薄膜中的擴散速率很快。擴散摻雜的缺點是工藝溫度較高,而晶粒粒度隨著襯底溫度升高而增大,由此增加了薄膜表面的粗糙度。擴散和離子注人摻磷多晶硅的電阻率曲線如圖732所示。

   目前,重?fù)诫s多晶硅的雜質(zhì)為砷或硼時,極限電阻率約為2×103Ω・cm;而雜質(zhì)為磷時極限電阻率更低,約為0,05×106Ω・cm,這個值基本代表了多晶硅電阻率的極限。薄膜淀積之后的離子注人摻雜或擴散摻雜對多晶硅微觀結(jié)構(gòu)和形貌,特別是晶粒粒度的大小也有重要的影響。m0多晶硅可以用離子注入,固態(tài)或液態(tài)(如K¤3)擴散,以及添加法進行N←摻雜。以LPCXID方法制各本征多晶硅薄膜,再以擴散方法摻雜得到的多晶硅薄膜的電阻率通常低于1Ω・CM。