蒸發(fā)速率也對(duì)薄膜質(zhì)量有重要影響。提高源的蒸發(fā)速率,有利于減少真空室殘余氣體對(duì)源蒸氣和襯底表面的碰撞,能提高所淀積薄膜的純度和與襯底的結(jié)合力,L7805ABV以及表面質(zhì)量。但是,如果蒸發(fā)速率過(guò)快,蒸氣原子氣相輸運(yùn)中的相互碰撞會(huì)加劇,動(dòng)能就有所降低,甚至?xí)鹫魵庠託庀嘟Y(jié)團(tuán)后再淀積,這將導(dǎo)致出現(xiàn)薄膜表面不平坦等質(zhì)量問(wèn)題。由于源的平衡蒸氣壓是隨著加熱溫度上升而快速增加的,因此影響源蒸發(fā)速率的主要因素是加熱溫度和蒸發(fā)面積。蒸發(fā)源的加熱溫度是由加熱器功率決定的,因此加熱方式也會(huì)帶來(lái)影響。通常蒸鍍時(shí)通過(guò)控制加熱器功率使源的蒸氣壓在1~10Pa范圍變化。

   實(shí)際上,采用蒸鍍工藝制備薄膜時(shí),必須考慮薄膜的具體應(yīng)用需求。例如,要求薄膜的純度高,而影響薄膜純凈度特性的主要因素為真空室基壓、加熱方式和蒸鍍工藝操作中擋板打開(kāi)、關(guān)斷時(shí)間等;要求薄膜與襯底黏附牢固,對(duì)此特性帶來(lái)影響的主要因素為襯底加熱溫度和蒸發(fā)速率等。因此,應(yīng)綜合考慮多方面因素來(lái)確定蒸鍍薄膜工藝控制方法和條件,從而獲得滿足質(zhì)量要求的薄膜。