對(duì)于襯底旋轉(zhuǎn),除了可以改善襯底的高形貌差投射出陰影區(qū)的薄膜覆蓋問(wèn)題之外,還可以改善所 L6562DTR(LF)淀積薄膜厚度的均勻性。在8,3.1節(jié)對(duì)源氣相輸運(yùn)過(guò)程進(jìn)行分析中曾得出,假如蒸鍍?cè)磁c各襯底硅片是在同一球體的球面位置上,所淀積在各硅片上薄膜厚度的均勻性就好�；�于此,在當(dāng)今的真空蒸鍍系統(tǒng)中,襯底支架設(shè)計(jì)為半球形的夾具機(jī)構(gòu),坩堝表面也位于該球的表面位置上,襯底夾具機(jī)構(gòu)可做行星式轉(zhuǎn)動(dòng),且轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中也一直保持夾具上的襯底和坩堝內(nèi)的液面在球面上。這樣的夾具機(jī)構(gòu)改善了薄膜厚度的均勻性,但也增加了真空室的復(fù)雜性。

   盡管進(jìn)行了襯底加熱和旋轉(zhuǎn)后,真空蒸鍍工藝的薄膜保形性會(huì)有所改善,但是并不能徹底解決蒸鍍薄膜臺(tái)階覆蓋特性較差這一問(wèn)題。襯底表面有微結(jié)構(gòu)時(shí),在臺(tái)階側(cè)壁上的淀積速率仍低于平坦表面,臺(tái)階底部會(huì)成為軸向?qū)ΨQ的中間厚、角落薄的薄膜,如圖817(b)所示。

   另外,在光刻剝離技術(shù)中,為利于淀積在光刻膠上的金屬或合金薄膜的剝離,通常盡量降低蒸鍍時(shí)的襯底溫度,如采取冷蒸方法。