射頻濺射(RF№tltte。llbo)是指激發(fā)氣體等離子化的電場(chǎng)是交變電場(chǎng)的濺射方法。1966年IBM公司首先研發(fā)出了射頻濺射技術(shù),它可以濺射絕緣介質(zhì)。 L78M12CDT-TR這一濺射方法的出現(xiàn)解決了用直流濺射工藝無法制各不導(dǎo)電化合物薄膜的問題。圖⒏23所示是射頻濺射裝置示意圖。

   射頻是無線電波發(fā)射范圍的頻率,為了避免干擾電臺(tái)丁作,濺射專用頻率規(guī)定為13.56MHz。 在射頻電源交變電場(chǎng)作用下,氣體中的電子隨之發(fā)生振蕩,致使氣體等離子化。而安裝靶的和放置襯底的兩個(gè)電極上連接的是射頻電源,對(duì)于絕緣介質(zhì)靶,當(dāng)靶在射頻電壓的正半周時(shí),電子流向靶面,中和其表面積累的正電荷,并且積累電子,使其表面呈現(xiàn)負(fù)偏壓,導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半周期時(shí)吸引正離子轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)濺射。

   既然射頻濺射的兩個(gè)電極是連接在交變的射頻電源上,應(yīng)該就沒有陰、陽極之分了。而實(shí)際上,這兩個(gè)電極是不對(duì)稱的。如圖孓23所示,放置襯底的電極與真空室外殼相連并接地,另一個(gè)電極安裝靶。放置襯底的電極相對(duì)于安裝靶的電極而言,面積大得多�；陔x子鞘效應(yīng),兩個(gè)電極的電位都低于等離子體的電位,而且鞘層電壓和電極面積的四次方成反比,結(jié)果面積大的電極與等離子體電位接近,成為陽極;而面積小的電極遠(yuǎn)低于等離子體的電位,成為陰極。因此,放置襯底的電極幾乎不受離子轟擊;而靶電極相對(duì)于等離子體而言,一直處于低得多的負(fù)電位,會(huì)持續(xù)受到離子的轟擊。于是,不管是絕緣體薄膜,還是導(dǎo)體或者是半導(dǎo)體薄膜都可以采用射頻濺射方法制各。在射頻濺射裝置中,電子在兩電極板之間振蕩,容易從射頻電場(chǎng)中吸收能量,因此,電子與工作氣體原子(或分子)的碰撞并使之電離的概率都較大。由此帶來氣體擊穿放電時(shí)的電源電壓顯著降低,工作氣體的氣壓也可以顯著降低。

   典型的I藝條件:采用銜作為工作氣體,△作氣體的氣壓約為1Pa,射頻功率為300~500W,頻率為13,56MHz,薄膜淀積速率在0,01~0,1u瑪/lllln之間。頻濺射薄膜淀積速率仍較低,設(shè)各較直流濺射復(fù)雜,且大功率的射頻電源不僅價(jià)格較高,而且存在輻射污染等問題。日前,在集成電路制造技術(shù)中實(shí)際使用射頻濺射方法的并不多,只有當(dāng)薄膜是絕緣介質(zhì)時(shí)才采用。