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國產(chǎn)快速晶問管制造工藝采用中子幅照等使關(guān)斷時間進一步縮短

發(fā)布時間:2017/6/12 19:25:31 訪問次數(shù):535

   ⒛世紀(jì)⒇年代的大范圍推廣應(yīng)用期。經(jīng)歷了前述兩個時期,我國的晶間管中頻電源技術(shù)已較成熟。 JANTXV2N5153U3 國產(chǎn)快速晶問管制造工藝采用中子幅照等使關(guān)斷時間進一步縮短,從35u左右降到z~s ILs左右,甚至⒛u以下;阻斷電壓已從1600Ⅴ上升到⒛00Ⅴ左右;快速晶閘管的容量進一步提高,單管容量已從500A增加到1000A;控制技術(shù)已有撞擊式啟動、零壓啟動、內(nèi)/外橋轉(zhuǎn)換啟動等方案,感應(yīng)加熱中頻電源的功率容量已從幾十千瓦增加到500kW,甚至1000kW。



   ⒛世紀(jì)末期的提高性能期。1998年之后,國內(nèi)開發(fā)單機容量1000kW以上的中頻電源,推動了快速晶間管制造水平的進一步提高,國內(nèi)已能生產(chǎn)單管電流容量達⒛00A、笏O0A的快速晶閘管元器件,但關(guān)斷時間對15OOA以上的晶閘管仍然很難降到⒛灬以下。為了解決大中頻電源的重爐啟動問題,開發(fā)出了第五代中頻電源控制板,即不要同步變壓器的自對相和相序自適應(yīng)的掃頻啟動板,使晶間管中頻電源的性能和水平上了一個很高的檔次。

   為了解決電網(wǎng)的污染問題,提高效率,借助于⒑BT及M0叩ET制造水平 的提高、容量的擴大和成本的下降,中變頻電源已在小容量領(lǐng)域從晶閘管向以⒑BT和MOsFET為主功率器件的高頻電源過渡(工作頻率范圍為⒛~⒛0kHz),并已批量投人I業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用。

   中頻電源技術(shù)現(xiàn)狀

   目前國產(chǎn)中頻電源都采用并聯(lián)諧振型逆變器結(jié)構(gòu),因此在研究和開發(fā)更大容量的并聯(lián)逆變中頻電源的同時,研制結(jié)構(gòu)簡單、易于頻繁啟動的串聯(lián)逆變中頻電源是國內(nèi)中頻感應(yīng)加熱裝置領(lǐng)域有待解決的問題。尤其是在熔煉、鑄造應(yīng)用中,串聯(lián)逆變中頻電源易實現(xiàn)全工況下恒功率輸出(有利于降低電能損耗)及一機多負載功率分配控制,更值得推廣應(yīng)用。




   ⒛世紀(jì)⒇年代的大范圍推廣應(yīng)用期。經(jīng)歷了前述兩個時期,我國的晶間管中頻電源技術(shù)已較成熟。 JANTXV2N5153U3 國產(chǎn)快速晶問管制造工藝采用中子幅照等使關(guān)斷時間進一步縮短,從35u左右降到z~s ILs左右,甚至⒛u以下;阻斷電壓已從1600Ⅴ上升到⒛00Ⅴ左右;快速晶閘管的容量進一步提高,單管容量已從500A增加到1000A;控制技術(shù)已有撞擊式啟動、零壓啟動、內(nèi)/外橋轉(zhuǎn)換啟動等方案,感應(yīng)加熱中頻電源的功率容量已從幾十千瓦增加到500kW,甚至1000kW。



   ⒛世紀(jì)末期的提高性能期。1998年之后,國內(nèi)開發(fā)單機容量1000kW以上的中頻電源,推動了快速晶間管制造水平的進一步提高,國內(nèi)已能生產(chǎn)單管電流容量達⒛00A、笏O0A的快速晶閘管元器件,但關(guān)斷時間對15OOA以上的晶閘管仍然很難降到⒛灬以下。為了解決大中頻電源的重爐啟動問題,開發(fā)出了第五代中頻電源控制板,即不要同步變壓器的自對相和相序自適應(yīng)的掃頻啟動板,使晶間管中頻電源的性能和水平上了一個很高的檔次。

   為了解決電網(wǎng)的污染問題,提高效率,借助于⒑BT及M0叩ET制造水平 的提高、容量的擴大和成本的下降,中變頻電源已在小容量領(lǐng)域從晶閘管向以⒑BT和MOsFET為主功率器件的高頻電源過渡(工作頻率范圍為⒛~⒛0kHz),并已批量投人I業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用。

   中頻電源技術(shù)現(xiàn)狀

   目前國產(chǎn)中頻電源都采用并聯(lián)諧振型逆變器結(jié)構(gòu),因此在研究和開發(fā)更大容量的并聯(lián)逆變中頻電源的同時,研制結(jié)構(gòu)簡單、易于頻繁啟動的串聯(lián)逆變中頻電源是國內(nèi)中頻感應(yīng)加熱裝置領(lǐng)域有待解決的問題。尤其是在熔煉、鑄造應(yīng)用中,串聯(lián)逆變中頻電源易實現(xiàn)全工況下恒功率輸出(有利于降低電能損耗)及一機多負載功率分配控制,更值得推廣應(yīng)用。




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