【處理措施】

   磁珠和電容的正確位置和連接關(guān)系是,緊靠芯M25P32-VMW6TP 片電源Ⅴcc引腳處直接并聯(lián)10uF電容和0.1uF去耦電容,來增加抗電流跳變的能力;然后串聯(lián)磁珠FB5與A5Ⅴ1平面形成高阻抗進(jìn)行隔離,來減少對(duì)A5Ⅴ1的干擾。把兩電容移到磁珠FB5的芯片電源側(cè)后,芯片工作正常,磁珠F“也達(dá)到了減少對(duì)供電電源A5Ⅴ1干擾的目的,磁珠兩端電壓Δ乙和“Ⅴ1的電壓波形如圖5,⒛所示。

   【思考與啟示】

   (1)要對(duì)磁珠的原理和作用有深人的了解,認(rèn)為加個(gè)磁珠減少芯片對(duì)供電電源的干擾`總沒有錯(cuò)的想法是不正確的。

   (2)在進(jìn)行濾波電路設(shè)計(jì)時(shí)一定要首先考慮源、負(fù)載的阻抗問題,濾波、去耦的原理是阻抗失配。表5習(xí)提供濾波電路選型時(shí)的參考。