刻蝕選擇比(如圖113所示)是指在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。OPA2137EA/2K5高的選擇比意味著只刻蝕想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝幾乎不刻蝕下面一層材料(刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止),并且保護(hù)的光刻膠也幾乎未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在最先進(jìn)的工藝中對于確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小,選擇比要求越高。

   對于被刻蝕材料和掩蔽層材料(如光刻膠)的選擇比SR可以通過

式中,Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率;雖為掩蔽層材料的刻蝕速率(如光刻膠)。 根據(jù)這個(gè)公式,選擇比通常表示為一個(gè)比值。一個(gè)選擇比差的刻蝕工藝這一比值可能是意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除得一樣快。而一個(gè)選擇比高的刻蝕丁藝這一比值可能是100:1,說明被刻蝕材料的刻蝕速率是不要被刻蝕材料刻蝕速率的100倍。

   干法刻蝕通常不能提供對下一層材料足夠高的刻蝕選擇比。在這種情況下,一個(gè)等離子體刻蝕設(shè)各應(yīng)裝上一個(gè)終點(diǎn)檢測系統(tǒng),使得在造成最小的過刻蝕時(shí)停止刻蝕過程。當(dāng)下一層材料正好露出來時(shí),終點(diǎn)檢測器會(huì)觸發(fā)刻蝕機(jī)控制器而停止刻蝕。