原來,在低阻狀態(tài)下測試時,電壓跌落與中斷模擬器的輸出內(nèi)阻呈低阻狀態(tài),相當于供SN1304057RSBR電源短路,如圖5.55所示。在電壓跌落的瞬間,儲能電容C1的電壓一方面繼續(xù)給DC/DC電源模塊供電,另一方面通過模擬器側(cè)的短路回路進行放電,并且很快被放到零電壓。據(jù)實際測試C1=紹uF時,這個時間約50灬,遠遠小于1ms。由于C1向模擬器側(cè)的短路回路的放電時間常數(shù)遠小于向DC/DC電源模塊放電的時間常數(shù),因此即使增加C1的容量(如100uF、200uF等)也沒有明顯改善測試結(jié)果.

   圖5.55低阻狀態(tài)下電壓中斷測試時的原理圖

   在高阻狀態(tài)下測試時,電壓跌落與中斷模擬器內(nèi)阻呈高阻狀態(tài),相當于電壓源與產(chǎn)品供電電源人口斷開,如圖5.56所示,在電壓中斷的瞬間,儲能電容C1上的能量只能消耗在DC/DC電源中,儲能電容值的增加,會對測試結(jié)果產(chǎn)生明顯的效果。