PCB中的環(huán)路無處不在
發(fā)布時間:2017/6/25 20:01:33 訪問次數(shù):734
從數(shù)字電路圖中可以看出,邏輯網(wǎng)上的數(shù)字信號是在門電路之間傳遞的。這些信SN1304057RSBR號是以電子流的形式實現(xiàn)傳遞的,而電子流也總是循環(huán)流動的,但是在原理圖中并沒有示意返回信號流的路徑。
許多數(shù)字電路工程師都以為返回的路徑與電流是不相干的。而實際電路中的信號傳輸無時無刻不伴隨著流動著的返回電流,也就是這些電流成為EMI的原因。因為一個信號的傳輸意味著一個電流環(huán)路的存在,所以在多數(shù)設(shè)備中,主要的發(fā)射源是印制電路板(PCB)上電路(時鐘、視頻和數(shù)據(jù)驅(qū)動器及其他振蕩器)中流動的電流。其中電流在傳遞路徑與返回路徑中形成的環(huán)路是PCB輻射發(fā)射的一個原因。其可以用小環(huán)天線模型描述。小環(huán)是指其尺寸小于感興趣頻率的四分之一波長。當(dāng)發(fā)射頻率到幾百兆赫 時,多數(shù)PCB環(huán)路仍認為是“小”的c當(dāng)其尺寸接近入〃時,環(huán)路上不同點的電流相位是不同的。這個效應(yīng)在指定點上可降低場強,也可增大場強。在自由空間中,輻射強度隨著離發(fā)射源的距離按正比例下降。當(dāng)距離固定為10m時(標準測量距離),可以估算輻射發(fā)射c對于最壞的情況,由于地平面的反射,要將輻射場強增加一倍。這也是符合試驗標準要求
的。當(dāng)一個環(huán)路在地平面L時,考慮到地面反射所產(chǎn)生的疊加效應(yīng)在距環(huán)路10m處的最大電場強度可以由式(6。l)得到,,A為環(huán)路面積;r為源電流Js(mA)的頻率(MHz)。
這個環(huán)路是由信號電流傳遞路徑和回流路徑構(gòu)成的環(huán)路。Js是在單一頻率上的電流分量c由于方波有豐富的諧波,故fs必須應(yīng)用傅里葉級數(shù)進行計算。
從數(shù)字電路圖中可以看出,邏輯網(wǎng)上的數(shù)字信號是在門電路之間傳遞的。這些信SN1304057RSBR號是以電子流的形式實現(xiàn)傳遞的,而電子流也總是循環(huán)流動的,但是在原理圖中并沒有示意返回信號流的路徑。
許多數(shù)字電路工程師都以為返回的路徑與電流是不相干的。而實際電路中的信號傳輸無時無刻不伴隨著流動著的返回電流,也就是這些電流成為EMI的原因。因為一個信號的傳輸意味著一個電流環(huán)路的存在,所以在多數(shù)設(shè)備中,主要的發(fā)射源是印制電路板(PCB)上電路(時鐘、視頻和數(shù)據(jù)驅(qū)動器及其他振蕩器)中流動的電流。其中電流在傳遞路徑與返回路徑中形成的環(huán)路是PCB輻射發(fā)射的一個原因。其可以用小環(huán)天線模型描述。小環(huán)是指其尺寸小于感興趣頻率的四分之一波長。當(dāng)發(fā)射頻率到幾百兆赫 時,多數(shù)PCB環(huán)路仍認為是“小”的c當(dāng)其尺寸接近入〃時,環(huán)路上不同點的電流相位是不同的。這個效應(yīng)在指定點上可降低場強,也可增大場強。在自由空間中,輻射強度隨著離發(fā)射源的距離按正比例下降。當(dāng)距離固定為10m時(標準測量距離),可以估算輻射發(fā)射c對于最壞的情況,由于地平面的反射,要將輻射場強增加一倍。這也是符合試驗標準要求
的。當(dāng)一個環(huán)路在地平面L時,考慮到地面反射所產(chǎn)生的疊加效應(yīng)在距環(huán)路10m處的最大電場強度可以由式(6。l)得到,,A為環(huán)路面積;r為源電流Js(mA)的頻率(MHz)。
這個環(huán)路是由信號電流傳遞路徑和回流路徑構(gòu)成的環(huán)路。Js是在單一頻率上的電流分量c由于方波有豐富的諧波,故fs必須應(yīng)用傅里葉級數(shù)進行計算。
上一篇:PCB上的共模電流與差模電流
熱門點擊
- 隔離工藝
- PCB布線形成的環(huán)路造成ESD測試時復(fù)位
- 光耦兩端的數(shù)字地與模擬地如何接
- 離軸照明技術(shù)
- 擊穿特性檢測
- 熱敏電阻是一種電阻值對溫度敏感的電阻器件
- 無機介質(zhì)電容
- PCB中的環(huán)路無處不在
- 光刻設(shè)備的發(fā)展趨勢
- 磁珠如何降低開關(guān)電源的輻射發(fā)射
推薦技術(shù)資料
- 繪制印制電路板的過程
- 繪制印制電路板是相當(dāng)重要的過程,EPL2010新穎的理... [詳細]
- 650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先8英寸硅基氮化鎵技術(shù)工
- 新一代600V超級接面MOSFET KP38
- KEC 第三代SuperJunction M
- KEC半導(dǎo)體650V碳化硅(SiC)肖特基二
- Arrow Lake U 系列
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究