測(cè)試方法

    按圖D.3~圖D.6所述的一般要求,保持EUT的基本測(cè)試配置的基礎(chǔ)上,按圖D⒛所示的配置進(jìn)行測(cè)試,具體測(cè)試步驟如下:

   圖D.22RS101(Ⅱ Hz~100kHz磁場(chǎng)輻射敏感度)壩刂試配置

    (1)EUT通電預(yù)熱,使其達(dá)到穩(wěn)定工作狀態(tài)c

   (2)選擇測(cè)試頻率如下:GP2A200LCS0F

   ⒊將輻射環(huán)置于離EUT的一個(gè)面∞mm處,環(huán)的平面應(yīng)平行于EUT表面;

   b給輻射環(huán)施加足夠的電流,以產(chǎn)生至少天于⑴BI51A適用極限值10dB的磁場(chǎng)強(qiáng)度,但不超過15A(183dBpT);

   c在CyJB151A規(guī)定的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行掃描,允許掃描速率比表3中規(guī)定的速率快三倍;

   d.如EUT出現(xiàn)敏感,則在鄭些存在最大敏感指示的頻率點(diǎn)上每倍頻程選擇不少于≡個(gè)測(cè)試頻率;

   ⒍改變環(huán)的位置,使環(huán)依次對(duì)準(zhǔn)EUT每個(gè)面上⒛0mm×sO0mm的區(qū)域和每個(gè)接口連接器,在每個(gè)位置上重復(fù)c~d以確定敏感的位置和頻率;

   f從c~d中注明敏感的全部頻率數(shù)據(jù)中,按GJB151A整個(gè)適用的頻率范圍內(nèi)每倍頻程選=個(gè)頻率;