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可以采用在電源輸人線上串聯(lián)電阻的方式來改善產(chǎn)品的諧波抑制性能

發(fā)布時(shí)間:2017/6/20 21:04:25 訪問次數(shù):743

   【處理措施】

   按以上描述適當(dāng)減小電源輸人端口的濾波電容,把原來值為1uF的Ⅹ電容改成0.躬uF, PAM3116BLBADJR電源輸人線串聯(lián)電阻10Ω可以在一定程度上降低濾波電容充電電流瞬時(shí)值的峰值,滿足諧波電流限值。

   【思考與啟示】

   對(duì)于小功率產(chǎn)品,可以采用在電源輸人線上串聯(lián)電阻的方式來改善產(chǎn)品的諧波抑制性能。同樣,對(duì)于小功率產(chǎn)品,電源輸人線上串聯(lián)電阻也同樣有利于該產(chǎn)品的其他EMC性能。4.2.10 案例38:接口電路中電阻和TⅤS對(duì)防護(hù)性能的影響

   【現(xiàn)象描述】

   TⅤS與電阻相對(duì)位置不同對(duì)接口防浪涌性能影響到底如何一直是一個(gè)爭論的問題。為了確定兩者位置對(duì)防浪涌性能的影響,選取某一產(chǎn)品的鯧5端口作為試驗(yàn)對(duì)象。在該產(chǎn)品中共選取了 DBUS1D +、 DBUS1D -、 DBUS2D +、 DBUS2D -、 CLK2M +、 CLK2M-、CLK8K+、 CLK8Κ- 不廿CFN+、 CFN-、 BFN+、 BFN-、 ()BCLK+、 0BCLK-、 FCLK+、FCLK-共16個(gè)信號(hào)。其中,前8個(gè)信號(hào)為第一組。圖4.⒆是第一組電路原理圖。從圖中可以看到TⅤS與電阻的相對(duì)位置關(guān)系。其中,TⅤS靠近芯片放置。后8個(gè)信號(hào)為第二組。圖4。⒛是第二組電路原理圖。從圖中可以看到TⅤS與電阻的相對(duì)位置關(guān)系。其中,電阻靠近芯片放置。

    


   【處理措施】

   按以上描述適當(dāng)減小電源輸人端口的濾波電容,把原來值為1uF的Ⅹ電容改成0.躬uF, PAM3116BLBADJR電源輸人線串聯(lián)電阻10Ω可以在一定程度上降低濾波電容充電電流瞬時(shí)值的峰值,滿足諧波電流限值。

   【思考與啟示】

   對(duì)于小功率產(chǎn)品,可以采用在電源輸人線上串聯(lián)電阻的方式來改善產(chǎn)品的諧波抑制性能。同樣,對(duì)于小功率產(chǎn)品,電源輸人線上串聯(lián)電阻也同樣有利于該產(chǎn)品的其他EMC性能。4.2.10 案例38:接口電路中電阻和TⅤS對(duì)防護(hù)性能的影響

   【現(xiàn)象描述】

   TⅤS與電阻相對(duì)位置不同對(duì)接口防浪涌性能影響到底如何一直是一個(gè)爭論的問題。為了確定兩者位置對(duì)防浪涌性能的影響,選取某一產(chǎn)品的鯧5端口作為試驗(yàn)對(duì)象。在該產(chǎn)品中共選取了 DBUS1D +、 DBUS1D -、 DBUS2D +、 DBUS2D -、 CLK2M +、 CLK2M-、CLK8K+、 CLK8Κ- 不廿CFN+、 CFN-、 BFN+、 BFN-、 ()BCLK+、 0BCLK-、 FCLK+、FCLK-共16個(gè)信號(hào)。其中,前8個(gè)信號(hào)為第一組。圖4.⒆是第一組電路原理圖。從圖中可以看到TⅤS與電阻的相對(duì)位置關(guān)系。其中,TⅤS靠近芯片放置。后8個(gè)信號(hào)為第二組。圖4。⒛是第二組電路原理圖。從圖中可以看到TⅤS與電阻的相對(duì)位置關(guān)系。其中,電阻靠近芯片放置。

    


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PAM3116BLBADJR
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