晶體管制造工藝包含前工藝和后工藝兩部分。晶體管芯片工藝稱為晶體管制造前工藝,是集成A2C00040421電路產(chǎn)品制造的特有工藝。晶體管芯片工藝完成之后,接下來(lái)的I藝稱為晶體管制造后工藝,微電子產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程示意圖后面部分所示。后△藝也稱為測(cè)試封裝工藝。晶體管制造后I藝流程內(nèi)容為:中測(cè),測(cè)試整個(gè)硅片上的晶體管性能;分割硅片,剔除性能不合格的管芯,得到合格的單個(gè)管芯;管芯黏結(jié),用導(dǎo)電膠等將管芯黏結(jié)在管殼的底座上,或者通過(guò)燒結(jié)等方法使底座與管芯之間形成歐姆接觸;壓焊,用壓焊機(jī)將硅鋁絲或金絲一端焊接在芯片壓焊點(diǎn)上,另一端焊接在管座的接線柱上,日的是將管芯的發(fā)射極和基極用金屬絲分別與管座上相應(yīng)的接線柱連接起來(lái),實(shí)現(xiàn)內(nèi)部電連接;封帽,扣上管殼的管帽,用封帽機(jī)將管帽密封焊接在管座上。最后,通過(guò)測(cè)試選出合格的晶體管。

   在硅基微電子產(chǎn)品中,目前分立器件除大功率晶體管以及高頻、微波等特殊用途器件之外,常規(guī)元器件多以集成方式出現(xiàn)。主要是各種類型的集成電路,如特大規(guī)模集成電路(ULSI)、超大規(guī)模集成電路(VL⒏)、大規(guī)模集成電路(I'SI)、中規(guī)模集成電路(MSI)、小規(guī)模集成電路(SSI),以及用戶專用電路(ASIC)。