可見,當(dāng)表面濃度Cls、雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)D以及擴(kuò)散時間r確定后,雜質(zhì)的擴(kuò)散分布也就確定了。MAX3042BCSE+T其中,Cs和D主要取決于不同的雜質(zhì)元素和擴(kuò)散溫度。Cs是半導(dǎo)體內(nèi)表面處的雜質(zhì)濃度,它并不等于半導(dǎo)體周圍氣氛中的雜質(zhì)濃度。

   當(dāng)氣氛中雜質(zhì)的分壓強(qiáng)較低時,在半導(dǎo)體內(nèi)表面處的雜質(zhì)溶解度將與其周圍氣氛中雜質(zhì)的分壓強(qiáng)成正比。當(dāng)雜質(zhì)分壓強(qiáng)較高時,則與周圍氣氛中雜質(zhì)的分壓強(qiáng)無關(guān),數(shù)值上就等于擴(kuò)散溫度下雜質(zhì)在半導(dǎo)體中的固溶度。在通常的擴(kuò)散 條件下,表面雜質(zhì)濃度可近似取其擴(kuò)散溫度下的固溶度。因此,雜質(zhì)的同溶度給雜質(zhì)擴(kuò)散的表面雜質(zhì)濃度設(shè)置了上限。如果擴(kuò)散所要求的表面雜質(zhì)濃度大于某雜質(zhì)元素在硅中的最大固溶度,那么就無法用這種元素來獲得所希望的雜質(zhì)分布。

   雜質(zhì)元素和擴(kuò)散溫度選定之后,Cs和D就基本定了,若再將擴(kuò)散時間r定下來,雜質(zhì)在襯底中的分布也就確定了。擴(kuò)散時間不同,雜質(zhì)分布曲線不同,其擴(kuò)散的深度(或擴(kuò)散結(jié)深)不同,擴(kuò)人硅片內(nèi)的雜質(zhì)總量也不同。