有些情況下,導(dǎo)體可能沒(méi)有跨過(guò)網(wǎng)格的邊界,此時(shí)需要使用某種方法將電源的輸人/輸出聯(lián)系SC1474TS起來(lái),為此定義電壓的兩個(gè)面應(yīng)該靠近,并由一個(gè)間隙分開(kāi),且間隙的各個(gè)邊界面上需采用磁切向邊界條件。

      開(kāi)放邊界問(wèn)題，電磁場(chǎng)一般并不只存在于有限元所定義的空間。實(shí)際上,一個(gè)場(chǎng)源在很遠(yuǎn)處產(chǎn)生的場(chǎng)分布由局部環(huán)境修正,但是反過(guò)來(lái)遠(yuǎn)處的場(chǎng)并不影響場(chǎng)源附近場(chǎng)的分布。有限元法所定義的空間是有限的,因此在其邊界上施加勢(shì)函數(shù)或勢(shì)函數(shù)導(dǎo)數(shù)為邊界條件,會(huì)給遠(yuǎn)場(chǎng)解帶來(lái)誤差。

      常用的方法為增大有限元定義的空間,并隨著有限元區(qū)域的增大(二維為圓環(huán),三維為求殼),增大網(wǎng)格單元的尺寸。但是這類(lèi)方法對(duì)于三維運(yùn)算比較繁瑣耗時(shí),為此Opera3D采用一種改進(jìn)的近似方法,該方法將有限元區(qū)域增大至所求區(qū)域,然后對(duì)所求區(qū)域與場(chǎng)源之間的有限元空間用某種特定的衰減函數(shù)近似。

      表面阻抗邊界條件，表面阻抗邊界條件適用于分析處于交變電磁場(chǎng)中的良導(dǎo)體,簡(jiǎn)化了計(jì)算方法。良導(dǎo)體的電導(dǎo)率和磁導(dǎo)率需認(rèn)為是線性和各項(xiàng)同性的。在交變場(chǎng)中,場(chǎng)會(huì)從導(dǎo)體表面向里以指數(shù)形式衰減。衰減的特征長(zhǎng)度,即趨膚深度,其中,〃為磁導(dǎo)率,σ為電導(dǎo)率,ω為角頻率。如果趨膚深度與導(dǎo)體的尺寸相當(dāng),則可將導(dǎo)體的網(wǎng)格大小按照一般的網(wǎng)格劃分方式,設(shè)為Ⅳ3或者更小即可。而表面阻抗邊界條件只適用于趨膚深度相當(dāng)小的情況,例如,遠(yuǎn)小于導(dǎo)體的厚度;遠(yuǎn)小于曲面的曲率半徑;遠(yuǎn)小于表面上場(chǎng)變化的切向尺度。

       在滿是以上這些條件下,表面阻抗邊界條件才能有較好的工程精度。在0pem3D中,表面阻抗邊界條件不是以邊界條件的形式輸入,而是以材料特性方式輸人,應(yīng)用于模型中所有這類(lèi)材料的表面。

      電流源邊界條件適用于CARMEN、DEMAG、EI冫EKTRA、TOSCA模塊中的電流分析。在模型中,電流將流入/流出標(biāo)有相同電流源邊界條件的邊界。正的電流值代表電流流人邊界所在的體積,負(fù)的電流值代表流出該體積。