多層片狀瓷介電容器

   多層片狀瓷介電容器在實際應用中大約占80%,通常是無引線

矩形三層結構。NEC569由于電容器的端電極、金屬電極、介質(zhì)三者的熱膨脹系數(shù)不同,所以在焊接過程中升溫速度不能過快,否則易造成電容器的損壞。

   多層片狀瓷介電容器根據(jù)用途可分為I類陶瓷電容器(國產(chǎn)型號是CC4,1)和H類陶瓷電容器(國產(chǎn)型號為CT4)兩種。I類是溫度補償電容器,其特點是低損耗、電容董穩(wěn)定性高,適用于諧振回路、耦合回路和需要補償溫度效應的電路。Π類是高介質(zhì)電常數(shù)類電容器,其特點是體積小、容量大,適用于旁路、濾波或在對損耗、容量穩(wěn)定性要求不高的鑒頻電路中。多層片狀瓷介電容器的外形尺寸如表1.19所示。