靜電電荷也可以以其他非摩擦的方式產生,比如感應帶電,離子轟擊,接觸另一個帶靜電的物體。 N25Q128A13ESE40F然而,摩擦帶電是最普遍的。GaN基LED在生產過程中,從原材料的轉移,加工處理,切割封裝到包裝,要經過大量工序和很多工人,接觸到帶電環(huán)境次數很多且復 雜多樣,接觸到的靜電帶電和靜電放電的機會很多。

   顯示了GaN材料在藍寶石襯底上生長時產生位錯的機制。 材料與藍寶石襯底材料的晶格不匹配產生了應力是由于G扒材料與藍寶石襯底晶格不匹配,結果在生長過程中產生很大的應力;當應力通路晶格常數的改變得到釋放時,就會產生位錯(dis1ocatiOn),這種由晶格不匹配產生的位錯可以在GaN晶體中延伸很長,甚至延伸到表面,形成V形位錯。圖中未表示出來的就是在生長過程中,某些外延層,如多量子阱(MQW)生長溫度過低,原子遷移率過低,也會在局部外延層產生大量的位錯。這些位錯都容易成為靜電放電中的漏電通道。由于靜電放電擊穿GaN基LED的放電過程很短,很難去監(jiān)測擊穿過程的發(fā)生,更難以捕捉擊穿的細節(jié)和機制,因此只能通過不同擊穿電壓和擊穿電流的擊穿效果來對擊穿過程做出推斷。