環(huán)境中所有導(dǎo)體,包括人員,應(yīng)該與一個(gè)已知接地或人造接地(如在船或飛機(jī)上)結(jié)合在一起,或電氣連接和相連。如此的連接在所有物體和人員之間建立了一個(gè)等電位平衡。 RT9293BGQW只要系統(tǒng)中所有的物體都處在同一個(gè)電位上,靜電保護(hù)就可維持在高出地電位“零伏特”電壓的電位水平上。

   環(huán)境中必要的非導(dǎo)體,不能通過與地連接,失去它們的靜電荷�？諝怆婋x化為這些必不可少的非導(dǎo)體提供了電荷中和的方式(電路板材料和一些器件的封裝就是必不可少的非導(dǎo)體的例子)。為保證配合靜電放電敏感物體的合理的措施的實(shí)施,要求對工作場合中必要的非導(dǎo)體上的靜電荷所產(chǎn)生的靜電放電危害,做出評估。

   靜電放電敏感物體在靜電放電保護(hù)區(qū)(文中以“靜電保護(hù)區(qū)”)夕卜運(yùn)送時(shí),要求用靜電防護(hù)材料密封起來,雖然材料的種類依賴于具體的情況和目的。在靜電保護(hù)區(qū)內(nèi),低帶電和靜電耗散材料能提供合適的防護(hù)。靜電保護(hù)區(qū)外,推薦使用低帶電和靜電放電屏蔽材料。

   采取有針對性的措施改變LED的器件結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)I藝可以很大程度上提高其抗靜電能力。主要從兩個(gè)方面進(jìn)行考慮:①減小缺陷密度;②減小擴(kuò)散電流。以GaN基LED為例,在芯片中添加不同厚度的p型A1GaN電子阻擋層(即EBL),這樣增加了電子阻擋層的厚度,從而提高芯片的抗EsD能力。由于低溫生長工藝,以及應(yīng)力都會(huì)引起位錯(cuò)缺陷,如果這種缺陷不能得到有效控制,穿過InGaN-GN多量子阱(MQW)的線位錯(cuò)會(huì)導(dǎo)致大量表面缺陷,從而影響芯片承受EsD的能力。而更后的少AlGaN EBL層能對InGaN-GN多量子阱表面缺陷起到一定程度的填充作用,所以添加阻擋層能提高LED的抗靜電能力。研究表明,在正向壓降和LED光輸出功率保持基本不變的情況下,如果將GaN基LED中p-A1GaN阻擋層厚度從32.5nm提高到130nm,芯片的承受能力將從1500V提升到ω00V。