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CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)

發(fā)布時(shí)間:2017/10/11 22:00:23 訪問次數(shù):497

   一對(duì)N溝道和P溝道MOS管以推挽形式△作,構(gòu)成互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體器件(Complemexltary Metal C)xide Semi∞nductor,CMOS)。其組成的反相器基本電路單元所實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路稱為CMC)S電路。OB2542MP其特點(diǎn)是:①靜態(tài)功耗低,每門功耗為納瓦級(jí);②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口;⑤速度快,門延遲時(shí)間達(dá)納秒級(jí);⑥在模擬電路中應(yīng)用,其性能比NM(DS電路好;⑦與NMOs電路相比,集成度稍低;⑧有“自鎖效應(yīng)”,影響電路正常工作。圖1.8為當(dāng)代先進(jìn)CM()S器件結(jié)構(gòu)示意圖。

      




   一對(duì)N溝道和P溝道MOS管以推挽形式△作,構(gòu)成互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體器件(Complemexltary Metal C)xide Semi∞nductor,CMOS)。其組成的反相器基本電路單元所實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路稱為CMC)S電路。OB2542MP其特點(diǎn)是:①靜態(tài)功耗低,每門功耗為納瓦級(jí);②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口;⑤速度快,門延遲時(shí)間達(dá)納秒級(jí);⑥在模擬電路中應(yīng)用,其性能比NM(DS電路好;⑦與NMOs電路相比,集成度稍低;⑧有“自鎖效應(yīng)”,影響電路正常工作。圖1.8為當(dāng)代先進(jìn)CM()S器件結(jié)構(gòu)示意圖。

      




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