CVD是用來制備二氧化硅介質(zhì)薄膜的主要工藝方法之一,在集成電路工藝中,CX/lD二氧化硅薄膜的應(yīng)用極為廣泛。

   CVD二氧化硅與熱氧化制備的二氧化硅結(jié)構(gòu)相同,也是由⒏―O四面體組成的無定形網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。PIC12LF1552但是,CXTD二氧化硅與熱氧化二氧化硅相比,密度略低,硅與氧的數(shù)量不是嚴(yán)格的化學(xué)計(jì)量比,因此,薄膜的電學(xué)特性等也就與熱氧化二氧化硅有所不同。高溫淀積或者在淀積之后進(jìn)行高溫退火,都可以使C`0二氧化硅薄膜的特性接近于熱氧化生長(zhǎng)的二氧化硅的特性。

    采用C`①方法制備的二氧化硅有多種,通�？梢砸罁�(jù)摻雜劑種類劃分為未摻雜(或稱本征)二氧化硅(USG)、摻磷的磷硅玻璃(PSG),以及摻硼和磷的硼磷硅玻璃(BPSG)。也可以依據(jù)淀積溫度劃分為高溫、中溫、低溫二氧化硅。高溫CXTD工藝溫度在900℃左右,現(xiàn)已很少采用。當(dāng)前工藝中主要采用的有低溫CVD Sio,淀積溫度在250~450℃之間;中溫C、①siQ,淀積溫度在650~750℃之間。另外,還可以依據(jù)C、0工藝方法劃分為APC、⊙siO2、I'PC`0si()2、PEC`①si02。不同種類、不同I藝方法,以及不同溫度淀積的C飛冫Vs02,其質(zhì)量和特性不盡相同,相應(yīng)的用途也就有所不同。CVD SiO2是一類淀積介質(zhì)薄膜,主要用于在前期已完成了一些工藝操作過程,襯底表面無法再采用熱氧化方法生長(zhǎng),或者襯底無法承受高溫的二氧化硅薄膜工藝。C、①sio2主要是作為多層布線中多晶硅與金屬層之問,或者是金屬層之間的絕緣層;擴(kuò)散和離子注入工藝中的掩膜;防止雜質(zhì)外擴(kuò)的覆蓋層及鈍化層等。