對(duì)于導(dǎo)電材料的填充技術(shù),PT7C4337WEX早期的金屬沉積工藝采用物理氣相沉積(Physical VaporDepositi°n,PVD)I藝。但是,PVD技術(shù)的填充能力和臺(tái)階覆蓋能力都比較弱。為解決上述問(wèn)題,化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)在接觸孔鎢栓填充上得到應(yīng)用。在I藝優(yōu)化后,CVD技術(shù)能夠提供保型沉積,這意味著比PVD技術(shù)更為優(yōu)越的填充能力。當(dāng)集成電路T業(yè)引人銅互連技術(shù)后,不論P(yáng)VD還是CVD技術(shù)都不能滿足其填充能力的要求。研究發(fā)現(xiàn),電化學(xué)沉積(ECD)技術(shù)能夠提供更為優(yōu)越的填充技術(shù)以滿足銅互連技術(shù)中的挑戰(zhàn)。ECD技術(shù)因?yàn)槠涔に嚲邆渥韵露?bottom up)的特點(diǎn),因而具有更為優(yōu)越的填充能力,對(duì)于高深寬比的間隙來(lái)說(shuō),這是一種理想的填充方式。在最近發(fā)展的替代柵工藝中,金屬沉積將面臨一些新的技術(shù)挑戰(zhàn)。