金屬-1的形成(單鑲嵌)
發(fā)布時(shí)間:2017/10/14 11:13:52 訪問次數(shù):826
這之后沉積金屬間介質(zhì)層(IMD),例如⒊CN(300A)含碳低乃PECVD氧化硅(2kA)和Te°s°妊dc(250A),并進(jìn)行圖形化(使用掩模meta⒈1)和氧化物刻蝕。IMD1層主要是為了良好的密封和覆蓋更加多孔的低乃介質(zhì)。然后沉積Ta/TaN和銅種子層,隨后填充銅(通過ECP法)并用CMP進(jìn)行平坦化。金屬1互連就形成了。這是單鑲嵌技術(shù)E13],見圖3,12。 R1EX24512BSAS0A
M1rsingle~DamascenΘ∶IMDl dcp,Mask(Ml》lMDl etch;TaN/勹�！–u seed;Ctl plating;CMP; 圖3.12 通過單鑲嵌技術(shù)實(shí)現(xiàn)金屬的圖解
這之后沉積金屬間介質(zhì)層(IMD),例如⒊CN(300A)含碳低乃PECVD氧化硅(2kA)和Te°s°妊dc(250A),并進(jìn)行圖形化(使用掩模meta⒈1)和氧化物刻蝕。IMD1層主要是為了良好的密封和覆蓋更加多孔的低乃介質(zhì)。然后沉積Ta/TaN和銅種子層,隨后填充銅(通過ECP法)并用CMP進(jìn)行平坦化。金屬1互連就形成了。這是單鑲嵌技術(shù)E13],見圖3,12。 R1EX24512BSAS0A
M1rsingle~DamascenΘ∶IMDl dcp,Mask(Ml》lMDl etch;TaN/勹�！–u seed;Ctl plating;CMP; 圖3.12 通過單鑲嵌技術(shù)實(shí)現(xiàn)金屬的圖解
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- R1EX24512BSAS0A
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