通孔1和金屬2互連的形成是通過先通孔雙鑲嵌工藝[13]實現(xiàn)的,如圖3,13所示。首R1EX24512BSAS0G先沉積IMD2層(例如⒊CN500A,含碳低慮PECVD氧化硅-黑金剛石6kA),然后形成通孔1的圖形并進行刻蝕。多層的IMD1主要是為了良好的密封和覆蓋更加多孔的低泛介質(zhì)。然后在通孔中填充BARC(為了平坦化)并沉積一層LTO。隨后形成金屬2的圖形并可使氧化物。去除BARC并清洗后,沉積Ta/TaN和Cu種子層,隨后進行Cu填充(使用ECP法)并進行CMP平坦化,這樣金屬2互連就形成了。這就是雙鑲嵌工藝[13]。通過重復(fù)上述的步驟,可以實現(xiàn)多層互連。