氮化硅無論是晶格常數(shù)還是熱膨脹系數(shù)與硅的失配率都很大,囚此,在凱N1/s界面硅的缺陷密度大,PIC12LF1840-I/SN成為載流子陷阱和復(fù)合中心,影響硅的載流子遷移率,從而影響元器件性質(zhì);而且氮化硅薄膜應(yīng)力較大,直接淀積在硅襯底上易出現(xiàn)龜裂現(xiàn)象。囚此,通常在硅襯底上淀積氮化硅之前先制各一薄氧化層作為緩沖層。

   集成電路工藝中使用的氮化硅薄膜都是采用CX/TD I藝制各的,主要是LPCD和PEC、V兩種方法。PC、0sLN4工藝溫度較高,在700~850℃之間,是中溫工藝;而PECXlD si3N1工藝溫度較低,在200~400℃之問,是低溫工藝。工藝溫度越高制各的氮化硅薄膜的質(zhì)量就越好。丁藝溫度越高,薄膜的密度就越大(在2,8~3.2釅cm3之間變化),硬度就越高,抗鈉、耐腐蝕性也就越強(qiáng)。因此，又稱為硬(質(zhì))氮化硅,而PEC、⑩S1\又稱為軟(質(zhì))氮化硅。IPC`si,N1比PECl/D si3N衽有更好的化學(xué)計(jì)量比。PECˇVs辶`中通常含有相當(dāng)數(shù)量的H原子(在10%~30%之間),以H―N形式存在于薄膜中。囚此,有時(shí)又將PECVD方法淀積的氮化硅的化學(xué)式記為凱:Ny H之。LPC`0和PEC、①都是低壓工藝,如果反應(yīng)器及氣體管道有些微的泄漏,使空氣進(jìn)人的話,或者是反應(yīng)氣體中含有微量的氧氣的話,薄膜中還會含有氧原子,以⒏―O形式存在于薄膜中。不同工藝方法制各的氮化硅薄膜的用途有所不同,對其質(zhì)量要求也就有所不同。另外,考察S厶N(yùn)4薄膜致密度的方法與C、0sio薄膜一樣,一般可以采用通過薄膜在氫氟酸腐蝕液中的腐蝕速率來粗略判斷。腐蝕速率越快,薄膜密度越低,有氧存在,腐蝕速率也會加快。⒏3N4薄膜的光學(xué)特性――折射率也作為衡量其質(zhì)量的一個(gè)指標(biāo)。符合化學(xué)計(jì)量比、致密度高的S13N4的折射率為″=2.0。當(dāng)薄膜的折射率″)2.0時(shí),其值越大,表明該薄膜中硅含量越高,薄膜富硅;反之,則說明致密度低,原因是由于薄膜中存在氧,且隨著氧含量的增加折射率降低。