FeRAM[23~2r基于電容中的鐵電極化,(相對(duì)于傳統(tǒng)的浮柵閃存)有低功耗、低操作電壓(1V)、T7525SEC高寫(xiě)壽命(1012)和編程快((100ns)等優(yōu)點(diǎn)。鐵電MiM電容(見(jiàn)圖3.21)可與后端制程(BEOI')集成,電容被完全封閉起來(lái)(避免由磁場(chǎng)強(qiáng)度引起的退化)。鐵電電容的丁藝流程如圖3,22所示。FeRAM中研究最多的材料是PZT(PbZrxTixO3),SBT(SrBi2T助09),BTO(B⒈TL O12),它們擁有抗疲勞、工藝溫度低、記憶性好、剩余極化高等令人滿意的特性[2:]。~晶體管一電容(1T1C)(作為非揮發(fā)存儲(chǔ)單元)的單元結(jié)構(gòu)是最常用的;而1T2C和2T2C單元?jiǎng)t對(duì)丁藝偏差有更強(qiáng)的適應(yīng)性,并有更好的性能[29]。需要注意的是擁有鐵電柵介質(zhì)的FET單元由于較差的記憶性(幾小時(shí)或幾天)而使其應(yīng)用受到限制L25],并且與前端制程(FEOL)不兼容。