如何選擇高乃介質呢?首先高的乃值是一個主要的指標。表4.6列出了候選的介質和它們的芡值。 NCP1380BDR2G根據材料的化學成分、制備方法和晶體結構等條件的不同,同一種材料可能具有不同的屁值。

   表4.6 介質和它們的七值

   除了高的乃值,介質同時還必須考慮材料的勢壘、能隙、界面態(tài)密度和缺陷、材料的化學和熱穩(wěn)定性、與標準CMOS工藝的兼容性等因素。Hf02族的高乃介質是目前最有前途的選擇之一(其次是zrO2族的高乃介質)。

   在高花介質研究的前期,介質與多晶硅柵極的兼容性一直是一個問題。如圖4,8所示,由于在HfO2和多晶硅界面上形成Hf Si鍵合,即界面存在缺陷態(tài),使得無法通過多晶硅的摻雜調節(jié)器件的開啟電壓(Vt),這被稱為“費米能級的釘扎”。