當(dāng)控制極開(kāi)路,陽(yáng)極上加正向電壓時(shí),J1、J3結(jié)正偏,但⒓結(jié)反偏,

這與普通PN結(jié)的反向特性相似, NB3L553DR2G也只能流過(guò)很小的電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當(dāng)電壓增加,的伏安特性發(fā)生了彎曲(oA段),彎曲處的電壓σ:。稱為正向轉(zhuǎn)折電壓。

   由于電壓升高到⒓結(jié)的雪崩擊穿電壓后,Jz結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子進(jìn)人N1區(qū),空穴進(jìn)入”區(qū)。進(jìn)人N1區(qū)的電子與由PI區(qū)通過(guò)J1結(jié)注人M區(qū)的空穴復(fù)合,同樣,進(jìn)入”區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過(guò)阝結(jié)注人P9區(qū)的電子復(fù)合,雪崩擊穿,進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)人”區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉,這樣在N1區(qū)就有電子積累,在”區(qū)就有空穴積累,結(jié)果使”區(qū)的電位升高,M區(qū)的電位下降,⒓結(jié)變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性,如圖3-4所示的虛線⒕B段。這時(shí)J1、二個(gè)結(jié)均處于正偏,晶閘管便進(jìn)人正向?qū)щ姞顟B(tài)。此時(shí),它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似,如圖3-4所示的BC段。

   在控制極G上加入正向電壓時(shí),因B結(jié)正偏,”區(qū)的空穴進(jìn)人吒區(qū),Nz區(qū)的電子進(jìn)入”區(qū),形成觸發(fā)電流f四。在晶閘管的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上,加上rcT的作用,使晶閘管提前導(dǎo)通,導(dǎo)致如圖3-4所示的伏安特眭C,A段左移,垴越大,特眭左移越快。