用等離子增強氣相沉積技術(shù)制備的氮化硅薄膜,在半導(dǎo)體工業(yè)界已經(jīng)被廣泛應(yīng)用,其沉積工藝也非常成熟。 TC4428AEOA713本節(jié)主要著眼于介紹應(yīng)力記憶技術(shù)所采用的高拉應(yīng)力氮化硅及其性質(zhì)以及氮化硅性質(zhì)的演變對應(yīng)力記憶效應(yīng)產(chǎn)生的影響。

   需要說明的是,由于NH3比N2更易于解離,所以式(53)的反應(yīng)中,大部分N離子來源于NH3,N2主要起稀釋和平衡氣壓的作用,但也會參與反應(yīng)。式(54)的反應(yīng)則不采用NH3,直接用N2提供N離子,反應(yīng)速度會相應(yīng)降低。不論是哪種反應(yīng)制備的氮化硅,其中除了Sl原子和N原子之外,還有含量不等的H原子,主要以S←H,NH的形式存在。H原子的含量及存在方式,對氮化硅薄膜的致密度、折射率、應(yīng)力大小有極大影響。H離子的來源有兩個:⒊H4和NH3,所以即便是式(5趔)的反應(yīng)也無法制備不含H的氮化硅。人們可以根據(jù)器件特性的需要,通過變化工藝參數(shù)來調(diào)整H原子含量,從而得到理想性能的氮化硅薄膜。反應(yīng)溫度,氣體流量,射頻電源頻率和功率,反應(yīng)氣壓等都可以影響氮化硅中H原子含量及其性質(zhì)。一般來說,(SiH4+NH3)/N2比例越大,高頻電源(13.3MHZ)功率越大,反應(yīng)溫度越低,H含量越高,本征應(yīng)力越低(有時也叫沉積應(yīng)力)。