從上面幾節(jié)中,我們可以看到應(yīng)力效應(yīng)不僅可以用來提高NMOS器件性能,而且也可以用來提高PMOS器件性能。除此之外,還有許多報(bào)道使用應(yīng)力效應(yīng)提升技術(shù)來更進(jìn)一步地提高器件性能的方法。本節(jié)將介紹應(yīng)力效應(yīng)提升技術(shù)中的兩個(gè):一 TC58NVG0S3ETA00個(gè)是通過去除虛擬柵電極的方法來提高嵌人式鍺化硅所產(chǎn)生的壓應(yīng)力;另一個(gè)方法是通過部分去除側(cè)墻以使得雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層薄膜更加接近溝道,從而提高應(yīng)力效果。在一個(gè)具有嵌入式鍺化硅的PMOS器件中,如果它的柵電極采用大馬士革結(jié)構(gòu)方式制造的話,通過去除該虛擬柵電極的方法,溝道中的壓應(yīng)力可以得到顯著提高[州。去除該虛擬柵電極后,它釋放了原來從柵極帶來的排斥力,從而使得嵌人式鍺化硅增強(qiáng)了橫向作用于溝道的壓應(yīng)力。這個(gè)應(yīng)力效果提升技術(shù)可以獲得更高的溝道應(yīng)變和空穴遷移率,它的作用機(jī)理可以參考圖5.15[3:]。

   圖5.15 通過去除虛擬柵電極的方法來提高溝道中壓應(yīng)力的示意圖

在去除虛擬柵電極后,可以在柵電極處的凹槽部位填充多晶硅[3:]或金屬柵L39〗。不管其中的任何一個(gè)方法,去除虛擬柵電極后所提的應(yīng)力都在最后的器件中保留了下來。通過把大馬士革多晶硅柵結(jié)構(gòu)的形成與嵌人式鍺化硅相結(jié)合的辦法,可以獲得如文獻(xiàn)E38]中所提到的好處。當(dāng)使用嵌人式鍺化硅時(shí),可以提高大馬士革結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電流。而沒有使用嵌入式鍺化硅的情況下,就沒有辦法提高驅(qū)動(dòng)電流了。