在高介電常數(shù)柵和金屬電極的整合結(jié)構(gòu)中,有兩個(gè)互相競(jìng)爭(zhēng)的方法:金屬柵極置前和金屬柵極置后。 TC62D722CFNG在柵極置后工藝中,包含了虛擬柵的去除。當(dāng)我們把它和嵌入式鍺化硅工藝相結(jié)合,PMOS器件的性能在柵極置后的整合流程中,可以獲得一個(gè)主要的優(yōu)勢(shì)就是:可以提高大馬士革多晶硅柵結(jié)構(gòu)形成后帶來的應(yīng)力效果。當(dāng)我們決定柵極置前和柵極置后哪種工藝用來整合進(jìn)人高介電常數(shù)柵和金屬電極的工藝流程中,這是一個(gè)主要的考慮因素。下面是一個(gè)把嵌人式鍺化硅工藝和金屬柵極置后工藝相結(jié)合的整合流程的簡(jiǎn)單例子。

   (1)包括源/漏擴(kuò)散區(qū)淺結(jié)形成工藝在內(nèi)的前續(xù)工藝。  ˉ

   (2)源/漏區(qū)的硅襯底刻蝕工藝。