現(xiàn)在先進(jìn)的掃描聲學(xué)顯微鏡(見(jiàn)圖11.D的頻率范圍為STM32F051C8T650OMHz),在空閘分辨率可達(dá)0,1um9掃描面積達(dá)到(0.25umJ~300n1m2),能完成超聲波傳輸時(shí)問(wèn)測(cè)量(A掃描)、縱向接口成像(B掃描)、X/Y二維成像((l、D、G、X掃描)和二維掃描與成像。

   X射線透視:X射線檢測(cè)是根據(jù)樣品不同部位對(duì)X射線吸收率和透射率的不同,利用X射線通過(guò)樣品各部位衰減后的強(qiáng)度檢測(cè)樣品內(nèi)部缺陷。X射線衰減的程度與樣品的材料種類(lèi).樣品刂的厚度和密度有關(guān)。透過(guò)材料的X射線強(qiáng)度隨材料的X射線吸收系數(shù)和厚度作指數(shù)衰減,材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和缺陷對(duì)應(yīng)于灰黑度不同的X射線影響圖。

   X射線一般用于檢測(cè)封裝完成后芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、內(nèi)引線開(kāi)路或者短路、焊點(diǎn)缺陷、封裝裂紋、空洞、橋接等缺陷.但其以低密度區(qū)為背景,觀察材料的高密度lx的密度異常點(diǎn),對(duì)有機(jī)填充物空洞或倒置封裝器件分層的探測(cè)作用有限;封裝器件中空洞的襯度被引線框架遮蔽所減弱Ⅱ掩蓋。器件金屬散熱片會(huì)減弱相對(duì)低質(zhì)厚的芯片黏貼層的襯度。