當(dāng)漏極接電源正極,源極接電源負(fù)極, “柵極一源極”之間的電壓為零或為負(fù)時,P型區(qū)和M型漂移區(qū)之間的PN結(jié)反向, “漏極一源極”之間無電流流過。 MIC2025-2BM如果在柵極和源極間加正向電壓已%s,由于柵極是絕緣的,不會有電流。但柵極的正電壓所形成的電場的感應(yīng)作用卻會將其下面的P型區(qū)中的少數(shù)載流子電子吸引到柵極下面的P型區(qū)表面。當(dāng)%s大于某一電壓值聽時,柵極下面的P型區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度,使P型反轉(zhuǎn)成N型,溝通了漏極和源極。此時,若在漏極之間加正向電壓,則電子將從源極橫向穿 過溝道,然后垂直(即縱向)流向漏極,形成漏極電流rD。電壓飾稱為開啟電壓,%s超過t/T越多,導(dǎo)電能力就越強,漏極電流rD也就越大。

   電力MOSFET的多元結(jié)構(gòu),使得每個MOsFET元的溝道長度大為縮短,而且使所有MOsFET元的溝道并聯(lián),這勢必使溝道電阻大幅度減小,從而使得在同樣的額定結(jié)溫下,器件的通態(tài)電流大大提高。此外,溝道長度的縮短,使載流子的渡越時間減小;溝道的并聯(lián),允許更多的載流子同時渡越,使器件的開通時間縮短,提高了工作頻率,改善了器件的性能。