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ST新的串行存在檢查(SPD)EEPROM

發(fā)布時(shí)間:2007/8/30 0:00:00 訪問次數(shù):638

意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所:STM)日前推出一個(gè)新的專用EEPROM,這個(gè)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器具有串行存在檢查(SPD)功能,用于下一代速度更高的兼容JEDEC DDR2規(guī)范的存儲(chǔ)器模塊。M34E02 芯片采用兩種封裝,其中包括一個(gè)節(jié)省空間的3mm x 2mm 無鉛超薄扁平封裝。

    SPD用于最新版本的DIMM(雙列直插式存儲(chǔ)器模塊)模塊,在臺(tái)式機(jī)和打印機(jī)以及機(jī)頂盒中,DIMM提供系統(tǒng)存儲(chǔ)的大部分功能。DDR2(雙倍數(shù)據(jù)速率2)標(biāo)準(zhǔn)定義的參數(shù)集被保存、鎖定在串行存在檢查EEPROM底部的128字節(jié)空間內(nèi)。這些參數(shù)用于記錄信息,如模塊的存取速度、存儲(chǔ)容量、EEPROM配置和制造商,PC機(jī)的CPU通過一個(gè)I2C串口可以訪問這些參數(shù)。

JEDEC DDR2標(biāo)準(zhǔn)定義了256MB到4GB DRAM雙列直插式存儲(chǔ)器模塊的最低要求,并規(guī)定了速度更快、可靠性更高、效率更高的性能,而工作電壓低于目前大多數(shù)PC機(jī)正在使用早期版本DDR規(guī)范規(guī)定的電壓。400MHz和533MHz的DIMM將在2004年批量推出,DDR2預(yù)計(jì)在2006年以前會(huì)成為主流的存儲(chǔ)技術(shù),所有新的168針和200針DDR2模塊要求必須使用串行存在檢查存儲(chǔ)器。

M34E02共有2000位(256字節(jié))的存儲(chǔ)容量,是ST現(xiàn)有的M34C02 SPD升級(jí)產(chǎn)品,底部128字節(jié)新增了永久軟件保護(hù)功能,這是一個(gè)響應(yīng)特殊的指令序列的寫保護(hù)功能。為方便DRAM模塊制造商,還增加一個(gè)臨時(shí)的鎖定/解鎖指令。這個(gè)功能以及所有的其它功能都完全符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,存儲(chǔ)器頂部用于快速暫時(shí)存儲(chǔ)應(yīng)用。

按照DDR2的規(guī)定,SPD的工作電源是1.7V 到 3.6V的單電源電壓,工作溫度0 到 +70攝氏度,支持隨機(jī)和連順讀取模式,允許字節(jié)讀取和頁式讀。ㄗ罡16字節(jié))。M34E02采用一個(gè)質(zhì)量極其優(yōu)異的CMOS制造工藝,數(shù)據(jù)保存最小年限為40年,讀寫循環(huán)保證在100次以上,確保DIMM參數(shù)在模塊使用壽命內(nèi)永久保留。

M34E02采用一個(gè)8引腳UFDFPN8封裝(超薄精細(xì)節(jié)距雙扁平封裝),簡(jiǎn)稱為MLP8,封裝殼體長(zhǎng)3mm,寬2mm,厚0.6mm;此外,這個(gè)器件還采用TSS0P8封裝。兩種封裝都采用ST的ECOPACK無鉛工藝技術(shù),完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)(歐洲限制有害物質(zhì)使用的法規(guī))。

M34E02的樣品現(xiàn)已完成,量產(chǎn)定于2004年6月開始。美元報(bào)價(jià)為10000件單價(jià)0.19美元。詳情訪問ST網(wǎng)站 www.st.com/eeprom

意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所:STM)日前推出一個(gè)新的專用EEPROM,這個(gè)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器具有串行存在檢查(SPD)功能,用于下一代速度更高的兼容JEDEC DDR2規(guī)范的存儲(chǔ)器模塊。M34E02 芯片采用兩種封裝,其中包括一個(gè)節(jié)省空間的3mm x 2mm 無鉛超薄扁平封裝。

    SPD用于最新版本的DIMM(雙列直插式存儲(chǔ)器模塊)模塊,在臺(tái)式機(jī)和打印機(jī)以及機(jī)頂盒中,DIMM提供系統(tǒng)存儲(chǔ)的大部分功能。DDR2(雙倍數(shù)據(jù)速率2)標(biāo)準(zhǔn)定義的參數(shù)集被保存、鎖定在串行存在檢查EEPROM底部的128字節(jié)空間內(nèi)。這些參數(shù)用于記錄信息,如模塊的存取速度、存儲(chǔ)容量、EEPROM配置和制造商,PC機(jī)的CPU通過一個(gè)I2C串口可以訪問這些參數(shù)。

JEDEC DDR2標(biāo)準(zhǔn)定義了256MB到4GB DRAM雙列直插式存儲(chǔ)器模塊的最低要求,并規(guī)定了速度更快、可靠性更高、效率更高的性能,而工作電壓低于目前大多數(shù)PC機(jī)正在使用早期版本DDR規(guī)范規(guī)定的電壓。400MHz和533MHz的DIMM將在2004年批量推出,DDR2預(yù)計(jì)在2006年以前會(huì)成為主流的存儲(chǔ)技術(shù),所有新的168針和200針DDR2模塊要求必須使用串行存在檢查存儲(chǔ)器。

M34E02共有2000位(256字節(jié))的存儲(chǔ)容量,是ST現(xiàn)有的M34C02 SPD升級(jí)產(chǎn)品,底部128字節(jié)新增了永久軟件保護(hù)功能,這是一個(gè)響應(yīng)特殊的指令序列的寫保護(hù)功能。為方便DRAM模塊制造商,還增加一個(gè)臨時(shí)的鎖定/解鎖指令。這個(gè)功能以及所有的其它功能都完全符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,存儲(chǔ)器頂部用于快速暫時(shí)存儲(chǔ)應(yīng)用。

按照DDR2的規(guī)定,SPD的工作電源是1.7V 到 3.6V的單電源電壓,工作溫度0 到 +70攝氏度,支持隨機(jī)和連順讀取模式,允許字節(jié)讀取和頁式讀。ㄗ罡16字節(jié))。M34E02采用一個(gè)質(zhì)量極其優(yōu)異的CMOS制造工藝,數(shù)據(jù)保存最小年限為40年,讀寫循環(huán)保證在100次以上,確保DIMM參數(shù)在模塊使用壽命內(nèi)永久保留。

M34E02采用一個(gè)8引腳UFDFPN8封裝(超薄精細(xì)節(jié)距雙扁平封裝),簡(jiǎn)稱為MLP8,封裝殼體長(zhǎng)3mm,寬2mm,厚0.6mm;此外,這個(gè)器件還采用TSS0P8封裝。兩種封裝都采用ST的ECOPACK無鉛工藝技術(shù),完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)(歐洲限制有害物質(zhì)使用的法規(guī))。

M34E02的樣品現(xiàn)已完成,量產(chǎn)定于2004年6月開始。美元報(bào)價(jià)為10000件單價(jià)0.19美元。詳情訪問ST網(wǎng)站 www.st.com/eeprom

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