全橋的正向電流和最高反向電壓值可用下述方法識(shí)別:
發(fā)布時(shí)間:2018/1/27 18:13:24 訪問(wèn)次數(shù):588
全橋的正向電流和最高反向電壓值可用下述方法識(shí)別:
直接看數(shù)值標(biāo)注,如QL2A/200,表示正向電流為2A,最高反向電壓值為⒛0V;但有的全橋只直接標(biāo)明正向電流值,WM8973G53BHCRY而最高反向電壓值用英文字母A~M表示,其A~M分別代表25~1000V,其對(duì)應(yīng)關(guān)系如表2.6.1所示。例如,QuAE,表示正向電流為1A,最高反向電壓值為300V。也有的全橋只直接標(biāo)明最高反向電壓值,而正向電流值用數(shù)字表示,其對(duì)應(yīng)關(guān)系如表2,6.2所示。對(duì)于進(jìn)口的全橋,有些也可直接從型號(hào)讀出,例如,RB156,表示正向電流為1,5A,最高反向電壓值為ω0V。
表261 字母與最高反向電壓值的對(duì)應(yīng)關(guān)系
半橋:半橋是由兩只整流二極管封裝為一體構(gòu)成的,有三端和四端之分,其內(nèi)部電路分別如圖269(Θ、lb)所示。由圖顯而易見(jiàn),用一只半橋可以組成全波整流電路,用兩只半橋可以組成橋式全波整流電路。常用的半橋有1/2QL系列。
全橋的正向電流和最高反向電壓值可用下述方法識(shí)別:
直接看數(shù)值標(biāo)注,如QL2A/200,表示正向電流為2A,最高反向電壓值為⒛0V;但有的全橋只直接標(biāo)明正向電流值,WM8973G53BHCRY而最高反向電壓值用英文字母A~M表示,其A~M分別代表25~1000V,其對(duì)應(yīng)關(guān)系如表2.6.1所示。例如,QuAE,表示正向電流為1A,最高反向電壓值為300V。也有的全橋只直接標(biāo)明最高反向電壓值,而正向電流值用數(shù)字表示,其對(duì)應(yīng)關(guān)系如表2,6.2所示。對(duì)于進(jìn)口的全橋,有些也可直接從型號(hào)讀出,例如,RB156,表示正向電流為1,5A,最高反向電壓值為ω0V。
表261 字母與最高反向電壓值的對(duì)應(yīng)關(guān)系
半橋:半橋是由兩只整流二極管封裝為一體構(gòu)成的,有三端和四端之分,其內(nèi)部電路分別如圖269(Θ、lb)所示。由圖顯而易見(jiàn),用一只半橋可以組成全波整流電路,用兩只半橋可以組成橋式全波整流電路。常用的半橋有1/2QL系列。
熱門點(diǎn)擊
- V/F,F/V變換器
- 指針式萬(wàn)用表的組成
- 抑制電感性耦合噪聲的措施
- WWW信息瀏覽服務(wù)
- 矢量控制系統(tǒng)的坐標(biāo)變換
- 阻值變化規(guī)律
- 電力電子器件是變頻器發(fā)展的基礎(chǔ)
- 變頻技術(shù)是建立在電力電子技術(shù)基礎(chǔ)之上的
- 坐標(biāo)變換的概念
- 給出滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求的數(shù)字溫度計(jì)完整實(shí)驗(yàn)原理
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同,EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- GB300 超級(jí)芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個(gè)最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究