極間電容
發(fā)布時(shí)間:2018/1/28 16:34:32 訪問次數(shù):1009
極間電容:場效應(yīng)管D,G,S,B各極之間都存在極間電容,它們是%d、qs、cds、咣b、仇s、Cdb,這些電容的存在,將影響場效應(yīng)管的高頻性能,其值越小越好。PI3V520ZFE
擊穿電壓
①柵源擊穿電壓∝:助Gs:柵極與溝道之間的PN結(jié)反向擊穿時(shí)的柵源電壓。
②漏源擊穿電壓斫:DDs:使溝道發(fā)生雪崩擊穿引起fD急劇上升時(shí)的吣s值。由于加到柵漏之間PN結(jié)的反向電壓為arGf幻s,所以cJGs越負(fù)。Ⅱ越小。
最大漏極耗散功率PDM:場效應(yīng)管漏極耗散功率PD=fD〃Ds,這一耗散功率將使管子溫度升高。為了限制管子的溫度,應(yīng)限制管子耗散功率不大于PDM。顯然,PDM的大小與環(huán)境溫度有關(guān)。
極間電容:場效應(yīng)管D,G,S,B各極之間都存在極間電容,它們是%d、qs、cds、咣b、仇s、Cdb,這些電容的存在,將影響場效應(yīng)管的高頻性能,其值越小越好。PI3V520ZFE
擊穿電壓
①柵源擊穿電壓∝:助Gs:柵極與溝道之間的PN結(jié)反向擊穿時(shí)的柵源電壓。
②漏源擊穿電壓斫:DDs:使溝道發(fā)生雪崩擊穿引起fD急劇上升時(shí)的吣s值。由于加到柵漏之間PN結(jié)的反向電壓為arGf幻s,所以cJGs越負(fù)。Ⅱ越小。
最大漏極耗散功率PDM:場效應(yīng)管漏極耗散功率PD=fD〃Ds,這一耗散功率將使管子溫度升高。為了限制管子的溫度,應(yīng)限制管子耗散功率不大于PDM。顯然,PDM的大小與環(huán)境溫度有關(guān)。
上一篇:常用的場效應(yīng)管
熱門點(diǎn)擊
- 常用的場效應(yīng)管
- 三電平和兩電平式sPWM波
- 恒功率負(fù)載
- 電流放大系數(shù)
- 外部制動電阻器連接用端子P、DB或P+、DB
- 幾種常用的電感器
- 極間電容
- 靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)整
- 矢量控制通用變頻器實(shí)際裝置舉例
- 電子系統(tǒng)的組裝與調(diào)試
推薦技術(shù)資料
- PCB布線要點(diǎn)
- 整機(jī)電路圖見圖4。將電路畫好、檢查無誤之后就開始進(jìn)行電... [詳細(xì)]
- 高性能CMOS模擬四通道SPDT多路復(fù)用器應(yīng)
- 頂級汽車壓力傳感器信號調(diào)理芯片 (SSC)
- 通用電源管理集成電路 (PMI
- 2.4Ω低導(dǎo)通電阻
- Arm Cortex-M0+微控制器產(chǎn)品組合
- 硅絕緣體(SOI)工藝8位數(shù)字
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究