結(jié)型場效應(yīng)晶體管(J ul.ction Fiel扯Effect Transistor,JFET)是在同一塊N型半導(dǎo)體上制作兩個高摻雜的P區(qū),并將它們連接在一起,所引出的電極稱為柵極(G),N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個電極,分別稱為漏極(D)和源極(S)。 HZICMT717CH1280G結(jié)型場效應(yīng)晶體管通過柵極電壓改變兩個反偏PN結(jié)勢壘的寬度,并囚此改變溝道的長度和厚度(柵極電壓使溝道厚度均勻變化,源漏電壓使溝道厚度不均勻變化),進而調(diào)節(jié)溝道的導(dǎo)電性來實現(xiàn)對輸出電流的控制,是具有放大功能的三端有源器件,也是單極場效應(yīng)管中最簡單的一種,它可以分N溝道或者P溝道兩種。

   結(jié)型場效應(yīng)晶體管分為耗盡型(9JFET),即在零柵偏壓時就存在有溝道以及增強型(⒌JFET),在零柵偏壓時不存在溝道兩種JFET。JFET導(dǎo)電的溝道在體內(nèi),耗盡型和增強型這兩種晶體管在I藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。冫JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大,以至于柵PN結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡;而

孓JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小,貝刂柵PN結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡。

    對于耗盡型的JFET,在平衡時(不加電壓)時,溝道電阻最小;電壓VDs和V。s都可改變柵PN結(jié)從而導(dǎo)致】Is變化,以實現(xiàn)對輸入信號的放大。當(dāng)Vl“較低時,JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性,是所謂電阻T作區(qū),這時漏極電流基本上隨著電壓VDs的增大而線性上升,但漏極電流隨著柵極電壓V(^的增大而平方式增大;進一步增大VDs日寸,溝道即首先在漏極一端被夾斷,則漏極電流達到最大而飽和,進入飽和放大區(qū),這時J「ET呈現(xiàn)為一個恒流源。

   JFET的特點:①是電壓控制器件,則不需要大的信號功率。②是多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極晶體管,無少子存儲與擴散問題,速度高,噪音系數(shù)低;而且漏極電流JJs的溫度關(guān)系取決于載流子遷移率的溫度關(guān)系,則電流具有負的溫度系數(shù),器件具有自我保護的功能。③輸人

   端是反偏的PN結(jié),則輸入阻抗大,便于匹配。④輸出阻抗也很大,呈現(xiàn)為恒流源,這與BJT大致相同。⑤JFET一般是耗盡型的,但若采用高阻襯底,也可得到增強型JFET(增強型JFET在高速、低功耗電路中很有應(yīng)用價值);但是一般只有短溝道的JFET才是能很好丁作的增強型器件。實際上,靜電感應(yīng)晶體管也就是一種短溝道的J「ET。⑥溝道是處在半導(dǎo)體內(nèi)部,則溝道中的載流子不受半導(dǎo)體表面的影響,因此遷移率較高、噪聲較低。