可靠性試驗是評價產(chǎn)品可靠性水平的重要手段。目前把測定、驗證、評價、分析等為提高產(chǎn)品可靠性而進(jìn)行的各種試驗，統(tǒng)稱為可靠性試驗。 HZICS34ML02G200G可靠性試驗是開展產(chǎn)品可靠性工作的重要環(huán)節(jié)。

   可靠性試驗一般是在產(chǎn)品的研發(fā)階段和大規(guī)模生產(chǎn)階段進(jìn)行的。在研發(fā)階段，可靠性試驗主要用于評價設(shè)計質(zhì)量、材料和工藝質(zhì)量。在大規(guī)模生產(chǎn)階段，可靠性試驗的目的則是質(zhì)量保證或定期考核管理。由于階段不同，其目的和內(nèi)容也不完全相同。列出了據(jù)不同階段、不同目的所開展的可靠性試驗的內(nèi)容。

   測試單元組合(Test Element Group，TEG)是指微電子測試結(jié)構(gòu)可靠性評價方法中的測試結(jié)構(gòu)，也叫測試器件群，其主要指供測試用的晶體管器件。隨著集成電路集成化和復(fù)雜化程度的日益提高，僅在成品階段進(jìn)行評價已經(jīng)不夠，而必須在集成電路的制造過程中進(jìn)行評價。TEG可以針對設(shè)計、工藝、材料、單元電路，結(jié)合可能出現(xiàn)的失效模式和機(jī)理，制成各種可測試的結(jié)構(gòu)圖形。它可以放在電路芯片圖形的旁邊，也可單獨(dú)在大圓片上占據(jù)幾個管芯的位置，甚至單獨(dú)排列在一個大圓片上形成測試圓片，制片時放在正規(guī)圓片當(dāng)中，目的是在研發(fā)階段的制造工藝過程中，就能對設(shè)計、工藝、材料和基本單元進(jìn)行可靠性評價，或者查找失效模式，得如失效機(jī)理，以便及時進(jìn)行反饋。在大規(guī)模生產(chǎn)階段，也可用來監(jiān)測監(jiān)控工藝流程。例如，當(dāng)設(shè)計了一種新的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)器件時，在制造流程中需要測定其電特性，從這些電特性來推導(dǎo)器件模式參數(shù)，這

時設(shè)計專門用于測試的晶體管，即TEG，在TFT陣列基板的制作過程中，也可以在顯示區(qū)外制造專門的TFT供測試檢查用。