可靠性試驗(yàn)是評(píng)價(jià)產(chǎn)品可靠性水平的重要手段。目前把測(cè)定、驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、分析等為提高產(chǎn)品可靠性而進(jìn)行的各種試驗(yàn)，統(tǒng)稱為可靠性試驗(yàn)。 HZICS34ML02G200G可靠性試驗(yàn)是開展產(chǎn)品可靠性工作的重要環(huán)節(jié)。

   可靠性試驗(yàn)一般是在產(chǎn)品的研發(fā)階段和大規(guī)模生產(chǎn)階段進(jìn)行的。在研發(fā)階段，可靠性試驗(yàn)主要用于評(píng)價(jià)設(shè)計(jì)質(zhì)量、材料和工藝質(zhì)量。在大規(guī)模生產(chǎn)階段，可靠性試驗(yàn)的目的則是質(zhì)量保證或定期考核管理。由于階段不同，其目的和內(nèi)容也不完全相同。列出了據(jù)不同階段、不同目的所開展的可靠性試驗(yàn)的內(nèi)容。

   測(cè)試單元組合(Test Element Group，TEG)是指微電子測(cè)試結(jié)構(gòu)可靠性評(píng)價(jià)方法中的測(cè)試結(jié)構(gòu)，也叫測(cè)試器件群，其主要指供測(cè)試用的晶體管器件。隨著集成電路集成化和復(fù)雜化程度的日益提高，僅在成品階段進(jìn)行評(píng)價(jià)已經(jīng)不夠，而必須在集成電路的制造過程中進(jìn)行評(píng)價(jià)。TEG可以針對(duì)設(shè)計(jì)、工藝、材料、單元電路，結(jié)合可能出現(xiàn)的失效模式和機(jī)理，制成各種可測(cè)試的結(jié)構(gòu)圖形。它可以放在電路芯片圖形的旁邊，也可單獨(dú)在大圓片上占據(jù)幾個(gè)管芯的位置，甚至單獨(dú)排列在一個(gè)大圓片上形成測(cè)試圓片，制片時(shí)放在正規(guī)圓片當(dāng)中，目的是在研發(fā)階段的制造工藝過程中，就能對(duì)設(shè)計(jì)、工藝、材料和基本單元進(jìn)行可靠性評(píng)價(jià)，或者查找失效模式，得如失效機(jī)理，以便及時(shí)進(jìn)行反饋。在大規(guī)模生產(chǎn)階段，也可用來監(jiān)測(cè)監(jiān)控工藝流程。例如，當(dāng)設(shè)計(jì)了一種新的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)器件時(shí)，在制造流程中需要測(cè)定其電特性，從這些電特性來推導(dǎo)器件模式參數(shù)，這

時(shí)設(shè)計(jì)專門用于測(cè)試的晶體管，即TEG，在TFT陣列基板的制作過程中，也可以在顯示區(qū)外制造專門的TFT供測(cè)試檢查用。