東芝美國電子元件公司(Toshiba America Electronic Components)的TPCT4201和TPCT4202功率MOSFET采用STP(Smart Thin Package)封裝形式，此乃業(yè)界最薄的表面貼裝型封裝形式。采用這種封裝，可提供每mΩ導(dǎo)通電阻下最小的表面貼裝面積及較高的驅(qū)動功率。上述兩款功率MOSFET的封裝尺寸約為采用TSSOP-8封裝的三分之一，高度僅0.6mm，接線端子無鉛(其它部分含鉛量可能高于0.1%)。

    12-V雙N溝道TPCT4201和TPCT4202器件適用于鋰電池應(yīng)用，TPCT4201的Vgs為4.5伏、源極到源極電壓為20伏時，導(dǎo)通電阻為25.5mΩ，TPCT4202的源極到源極電壓為30伏時，導(dǎo)通電阻為30.5mΩ。以上兩種產(chǎn)品的最大耗散功率為1.7W，直流漏極電流為6A，脈沖漏極電流為24A，泄露電流為10μA，內(nèi)置穩(wěn)壓二極管，具有ESD防護(hù)功能。