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中開關(guān)電源內(nèi)脈沖信號產(chǎn)生的諧波電平

發(fā)布時間:2018/12/31 17:39:54 訪問次數(shù):1880

    An為脈沖中第屁次諧波的電平;FO為脈沖信號的基頻;%為脈沖的電平;r為脈沖串的周期;莎w為脈沖寬度;Jr為脈沖的上升時間。雖然開關(guān)電源具有各式各樣的電路形式,KDV216E-RTK/P但它們的核心部分都是一個高電壓、大電流的受控脈沖信號源。假定某PWM開關(guān)電源脈沖信號的主要參數(shù)為:σ。=sO0Ⅴ,r=2×1o5s,rw=10・s,砂r=0.4×106s,則其諧波電平如圖2.72所示。

   中開關(guān)電源內(nèi)脈沖信號產(chǎn)生的諧波電平,對于其他電子設(shè)備來說就是ElII信號,這些諧波電平可以從對電源線的傳導(dǎo)騷擾(頻率范圍為0.1~s~3O MHz)和輻射發(fā)射(頻率范圍為3O~1CXXl MHz)的測量中反映出來。在圖中,基波電平約160dBuⅤ,500MHz對應(yīng)的電平約

30dBuⅤ,所以,要把開關(guān)電源的EMI電平都控制在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值內(nèi),是有一定難度的。 既然開關(guān)電路是開關(guān)電源的核心,而且它產(chǎn)生的 電平/dBuV dydr具有較大輻度的脈沖,頻帶較寬且諧波豐富。這 ⑹是很難改變的事實,但是它的傳輸路徑是可控的。所以, 120

對于開關(guān)電源來說,控制騷擾的傳輸路徑也是開關(guān)電源 ⒛ EMC設(shè)計的一個重要部分。

     

   功率開關(guān)管是開關(guān)電源中形成前面所述脈沖信號的關(guān)鍵器件,它通常有較大的功率損耗,為了散熱往往需要安裝散熱器并與開關(guān)管的漏極(集電極)相連(即使 不直接相連也會通過分布電容耦合),在這種情況下,散熱器也成為了開關(guān)電源核心騷擾源中的一部分,圖2.73舉例說明了散熱器對ElII的影響。散熱器面積較大的特點,使散熱器表面很容易與其他相對應(yīng)的PCB印制線、器件、電源線、地平面等形成較大的寄生電容,而成為傳導(dǎo)騷擾的“禍源”。在EMC考慮的頻率范圍內(nèi),千萬不要小看這些很小的寄生電容,以圖2!(a)所示的情況為例,若C"=0.1pF(很小的一個電容值),I/sl=3∞Ⅴ;當(dāng)頻率為1~sO kHz時,ⅡSN測試到的傳導(dǎo)騷擾電壓為1吲m uⅤ,這一值已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了標(biāo)準(zhǔn)EN甾⑿中規(guī)定的C⒒甾B的限值要求了(150kHz時為“0uⅤ)。再以圖2.73(b)所示的情況為例,若Cs2=0.1pF,嘰2=3OO Ⅴ;當(dāng)頻率為1sO kHz時,ⅡsN測試到的傳導(dǎo)騷擾電壓為7∞uⅤ,這一值也超過了標(biāo)準(zhǔn)EN55Clz2中規(guī)定的CLAS B的限值要求了。

     


    An為脈沖中第屁次諧波的電平;FO為脈沖信號的基頻;%為脈沖的電平;r為脈沖串的周期;莎w為脈沖寬度;Jr為脈沖的上升時間。雖然開關(guān)電源具有各式各樣的電路形式,KDV216E-RTK/P但它們的核心部分都是一個高電壓、大電流的受控脈沖信號源。假定某PWM開關(guān)電源脈沖信號的主要參數(shù)為:σ。=sO0Ⅴ,r=2×1o5s,rw=10・s,砂r=0.4×106s,則其諧波電平如圖2.72所示。

   中開關(guān)電源內(nèi)脈沖信號產(chǎn)生的諧波電平,對于其他電子設(shè)備來說就是ElII信號,這些諧波電平可以從對電源線的傳導(dǎo)騷擾(頻率范圍為0.1~s~3O MHz)和輻射發(fā)射(頻率范圍為3O~1CXXl MHz)的測量中反映出來。在圖中,基波電平約160dBuⅤ,500MHz對應(yīng)的電平約

30dBuⅤ,所以,要把開關(guān)電源的EMI電平都控制在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值內(nèi),是有一定難度的。 既然開關(guān)電路是開關(guān)電源的核心,而且它產(chǎn)生的 電平/dBuV dydr具有較大輻度的脈沖,頻帶較寬且諧波豐富。這 ⑹是很難改變的事實,但是它的傳輸路徑是可控的。所以, 120

對于開關(guān)電源來說,控制騷擾的傳輸路徑也是開關(guān)電源 ⒛ EMC設(shè)計的一個重要部分。

     

   功率開關(guān)管是開關(guān)電源中形成前面所述脈沖信號的關(guān)鍵器件,它通常有較大的功率損耗,為了散熱往往需要安裝散熱器并與開關(guān)管的漏極(集電極)相連(即使 不直接相連也會通過分布電容耦合),在這種情況下,散熱器也成為了開關(guān)電源核心騷擾源中的一部分,圖2.73舉例說明了散熱器對ElII的影響。散熱器面積較大的特點,使散熱器表面很容易與其他相對應(yīng)的PCB印制線、器件、電源線、地平面等形成較大的寄生電容,而成為傳導(dǎo)騷擾的“禍源”。在EMC考慮的頻率范圍內(nèi),千萬不要小看這些很小的寄生電容,以圖2。”(a)所示的情況為例,若C"=0.1pF(很小的一個電容值),I/sl=3∞Ⅴ;當(dāng)頻率為1~sO kHz時,ⅡSN測試到的傳導(dǎo)騷擾電壓為1吲m uⅤ,這一值已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了標(biāo)準(zhǔn)EN甾⑿中規(guī)定的C⒒甾B的限值要求了(150kHz時為“0uⅤ)。再以圖2.73(b)所示的情況為例,若Cs2=0.1pF,嘰2=3OO Ⅴ;當(dāng)頻率為1sO kHz時,ⅡsN測試到的傳導(dǎo)騷擾電壓為7∞uⅤ,這一值也超過了標(biāo)準(zhǔn)EN55Clz2中規(guī)定的CLAS B的限值要求了。

     


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