NPN型三極管的構(gòu)成
發(fā)布時間:2019/1/25 18:34:52 訪問次數(shù):1512
將兩個P型半導(dǎo)體和一個N型半導(dǎo)體按圖⒎2(a)所示的方式結(jié)合在一起, MA+6431MRUS+T兩個P型半導(dǎo)體中的正電荷會向中間的N型半導(dǎo)體中移動,N型半導(dǎo)體中的負(fù)電荷會向兩個P型半導(dǎo)體移動,結(jié)果在P、N型半導(dǎo)體的交界處形成PN結(jié),如圖⒎2(b)所示。
在兩個P型半導(dǎo)體和一個N型半導(dǎo)體上通過連接導(dǎo)體各引出一個電極,然后封裝起來就構(gòu)成了三極管。三極管三個電極分別稱為集電極(用c或C表示)、基極(用b或B表示)和發(fā)射極(用e或E表示)。PNP型三極管的電路符號如圖⒎2(c)所示。
三極管內(nèi)部有兩個PN結(jié),其中基極和發(fā)射極之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),基極與集電極之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)。兩個PN結(jié)將三極管內(nèi)郜分作三個區(qū),與發(fā)射極相連的區(qū)稱為發(fā)射區(qū),與基極相連的區(qū)稱為基區(qū),與集電極相連的區(qū)稱為集電區(qū)。發(fā)射區(qū)的半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)多,故有大量的電荷,便于發(fā)射電荷;集電區(qū)摻入的雜質(zhì)少且面積大,便于收集發(fā)射區(qū)送來的電荷;基區(qū)處于兩者之間,發(fā)射區(qū)流向集電區(qū)的電荷要經(jīng)過基區(qū),故基區(qū)可控制發(fā)射區(qū)流向集電區(qū)電荷的數(shù)量,基區(qū)就像設(shè)在發(fā)射區(qū)與集電區(qū)之間的關(guān)卡。
NPN型三極管的構(gòu)成與PNP型三極管類似,它是由兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體構(gòu)成的。具體如圖⒎3所示。 N型半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體(c)形成前 (b)形成后
圖⒎3 NPN型三極管的構(gòu)成
將兩個P型半導(dǎo)體和一個N型半導(dǎo)體按圖⒎2(a)所示的方式結(jié)合在一起, MA+6431MRUS+T兩個P型半導(dǎo)體中的正電荷會向中間的N型半導(dǎo)體中移動,N型半導(dǎo)體中的負(fù)電荷會向兩個P型半導(dǎo)體移動,結(jié)果在P、N型半導(dǎo)體的交界處形成PN結(jié),如圖⒎2(b)所示。
在兩個P型半導(dǎo)體和一個N型半導(dǎo)體上通過連接導(dǎo)體各引出一個電極,然后封裝起來就構(gòu)成了三極管。三極管三個電極分別稱為集電極(用c或C表示)、基極(用b或B表示)和發(fā)射極(用e或E表示)。PNP型三極管的電路符號如圖⒎2(c)所示。
三極管內(nèi)部有兩個PN結(jié),其中基極和發(fā)射極之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),基極與集電極之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)。兩個PN結(jié)將三極管內(nèi)郜分作三個區(qū),與發(fā)射極相連的區(qū)稱為發(fā)射區(qū),與基極相連的區(qū)稱為基區(qū),與集電極相連的區(qū)稱為集電區(qū)。發(fā)射區(qū)的半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)多,故有大量的電荷,便于發(fā)射電荷;集電區(qū)摻入的雜質(zhì)少且面積大,便于收集發(fā)射區(qū)送來的電荷;基區(qū)處于兩者之間,發(fā)射區(qū)流向集電區(qū)的電荷要經(jīng)過基區(qū),故基區(qū)可控制發(fā)射區(qū)流向集電區(qū)電荷的數(shù)量,基區(qū)就像設(shè)在發(fā)射區(qū)與集電區(qū)之間的關(guān)卡。
NPN型三極管的構(gòu)成與PNP型三極管類似,它是由兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體構(gòu)成的。具體如圖⒎3所示。 N型半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體(c)形成前 (b)形成后
圖⒎3 NPN型三極管的構(gòu)成
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