從上面幾節(jié)中,我們可以看到應(yīng)力效應(yīng)不僅可以用來提高NMOS器件性能,而且也KDZTR8.2B可以用來提高PMOS器件性能。除此之外,還有許多報道使用應(yīng)力效應(yīng)提升技術(shù)來更進一步地提高器件性能的方法。本節(jié)將介紹應(yīng)力效應(yīng)提升技術(shù)中的兩個:一個是通過去除虛擬柵電極的方法來提高嵌人式鍺化硅所產(chǎn)生的壓應(yīng)力;另一個方法是通過部分去除側(cè)墻以使得雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層薄膜更加接近溝道,從而提高應(yīng)力效果。

   在一個具有嵌入式鍺化硅的PMOS器件中,如果它的柵電極采用大馬士革結(jié)構(gòu)方式制造的話,通過去除該虛擬柵電極的方法,溝道中的壓應(yīng)力可以得到顯著提高[州。去除該虛擬柵電極后,它釋放了原來從柵極帶來的排斥力,從而使得嵌人式鍺化硅增強了橫向作用于溝道的壓應(yīng)力。這個應(yīng)力效果提升技術(shù)可以獲得更高的溝道應(yīng)變和空穴遷移率,它的作用機理可以參考。

   通過去除虛擬柵電極的方法來提高溝道中壓應(yīng)力的示意圖 在去除虛擬柵電極后,可以在柵電極處的凹槽部位填充多晶硅[3:]或金屬柵L39〗。不管其中的任何一個方法,去除虛擬柵電極后所提高的應(yīng)力都在最后的器件中保留了下來。通過把大馬士革多晶硅柵結(jié)構(gòu)的形成與嵌人式鍺化硅相結(jié)合的辦法,可以獲得如文獻E38]中所提到的好處。當使用嵌人式鍺化硅時,可以提高大馬士革結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電流。而沒有使用嵌入式鍺化硅的情況下,就沒有辦法提高驅(qū)動電流了。在高介電常數(shù)柵和金屬電極的整合結(jié)構(gòu)中,有兩個互相競爭的方法:金屬柵極置前和金屬柵極置后。在柵極置后工藝中,包含了虛擬柵的去除。當我們把它和嵌入式鍺化硅工藝相結(jié)合,PMOS器件的性能在柵極置后的整合流程中,可以獲得一個主要的優(yōu)勢就是:可以提高大馬士革多晶硅柵結(jié)構(gòu)形成后帶來的應(yīng)力效果。當我們決定柵極置前和柵極置后哪種工藝用來整合進人高介電常數(shù)柵和金屬電極的工藝流程中,這是一個主要的考慮因素。下面是一個把嵌人式鍺化硅工藝和金屬柵極置后工藝相結(jié)合的整合流程的簡單例子。