像差的測(cè)量可以通過(guò)很多方法,比如阿斯麥公司的硅片平臺(tái)上的白帶干涉儀(Ilias傳感器), J4701B3111其原理就是通過(guò)在掩膜版對(duì)應(yīng)曝光狹縫不同位置的地方設(shè)計(jì)小孔,這些小孔發(fā)出的球面波會(huì)在鏡頭的光瞳位置形成有不同傾角的平面波。如果鏡頭沒(méi)有像差,那么這些平面波的相位分布是均勻的。然后再在硅片平臺(tái)上還原為點(diǎn)狀的像。Ilias傳感器的探測(cè)器平面選在光瞳平面的共軛面上。為r探測(cè)相位,在此探測(cè)器中使用了錯(cuò)位干涉儀(latcralshcaring interferomcnter,義叫做剪切千涉儀)來(lái)探測(cè)在光瞳位置的相位非均勻性。另外,也可以通過(guò)使分析硅片曝光結(jié)果來(lái)推算出像差的情況,如約瑟夫・柯克(Joc Kirk)的工作中使用的方法勹柯克的方法在原理L是一樣的。

   這里只討淪一些基本的光刻膠內(nèi)容,具體的請(qǐng)見(jiàn)專(zhuān)門(mén)的章節(jié)。這里介紹光刻膠的類(lèi)型、光刻膠的原理以及光刻膠的簡(jiǎn)單模型。

   光刻膠首先可以分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正性光刻膠在給予一定量的曝光之后,在顯影液里面的溶解率會(huì)顯著升高。而負(fù)性光刻膠正好相反,在經(jīng)過(guò)曝光之后,變得很難溶解于顯影液。在硅片曝光機(jī)出現(xiàn)之前,負(fù)性光刻膠主導(dǎo)著半導(dǎo)體光刻工藝「mJ。但是,由于負(fù)性光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)小分子的交聯(lián)(cross hnking)來(lái)降低在有機(jī)溶劑(顯影液)中的溶解率,不呵避免地會(huì)在顯影過(guò)程當(dāng)中吸收顯影液并且造成膨脹(swelling),對(duì)于分辨率要求較高的丁藝會(huì)造成困難;而且,用作顯影液的有機(jī)溶劑在使用與廢棄方面也面臨不小挑戰(zhàn);此外這種光刻膠容易在空氣中被氧化,導(dǎo)致了現(xiàn)代I業(yè)當(dāng)中絕大多數(shù)光刻膠都是正性光刻膠。進(jìn)人了深紫外時(shí)代(248nm、193nm),由于負(fù)性光刻膠在分辨率與靈敏度方面的矛盾一方面,我們需要負(fù)性光刻膠的高靈敏度,稍微有一點(diǎn)光就能夠改在顯影液中的溶解率;另一方面,我們又需要其在空問(wèn)像定義的沒(méi)有光的地方不留下光刻膠殘留。高靈敏度會(huì)導(dǎo)致在空間像定義的沒(méi)有光的地方(實(shí)際上沒(méi)有空間像會(huì)造就完全沒(méi)有光的地方,少有空問(wèn)像具有100%對(duì)比度)產(chǎn)生一定程度的被曝光,導(dǎo)致顯影不完全。而正性光刻膠就沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題。正性光刻膠高靈敏度比較容易實(shí)現(xiàn),因?yàn)樗恍枰诳臻g像定義的有光的地方大部分光刻膠被曝光,就可以將整塊地方被顯影液沖走(像拆大樓),而不像負(fù)性光刻膠,需要對(duì)在空問(wèn)像定義的有光的地方最大限度地曝光,以形成可以抵御顯影的堅(jiān)固的區(qū)域(像建大樓)。