在集成電路制造中,污染無(wú)處不在,是個(gè)不可忽視的因素,因?yàn)樗鼈儠?huì)損害芯片的質(zhì)量、降低芯片的效能。據(jù)估計(jì)5O%良率損失來(lái)源于污染。HCPL-0631-000E污染對(duì)半導(dǎo)體器件的影響很復(fù)雜,因此針對(duì)不同的污染,采取不同的應(yīng)對(duì)措施。

   顆�？赡芾喂痰鼐o縛于晶片表面,在膜層沉積時(shí)共生,成為掩埋缺陷;顆�？梢鸶鞣N制程操作的障礙或形成幕罩。例如,顆粒妨礙離子植人或干擾光刻圖案的正常曝光。在刻蝕時(shí),顆粒阻斷光刻圖案向膜層圖案的轉(zhuǎn)移;在制程的后段部分(金屬內(nèi)連接),顆粒能引起

導(dǎo)線的斷開和臨近線的導(dǎo)通。當(dāng)集成電路制造的線寬微縮到40nm以下,很小尺寸的顆粒都會(huì)導(dǎo)致IC的失敗,最小顆粒尺寸的要求仰仗于顆粒所處的區(qū)域和該區(qū)域的器件特征尺寸。一般講,顆粒尺寸如果超過器件最小特征尺寸的50%,就有導(dǎo)致器件失效的可能。

   芯片污染膜在很多方面影響集成電路的正常加工和器件性能。如受金屬污染的柵氧化層,漏電流會(huì)增大,良率降低「21;污染的膜層在酸槽中刻蝕,會(huì)二次污染酸槽;污染的膜層也有可能直接或分解成有害副產(chǎn)物阻止下一個(gè)沉積膜對(duì)晶片的很好粘附,造成脫落;甚至 在無(wú)氧環(huán)境下加熱,有機(jī)膜殘?jiān)蓟?或?qū)⑴c硅反應(yīng)在晶片L形成化硅(SiC)缺陷區(qū)。金屬和離子污染會(huì)引起有關(guān)器件操作方面的問題。在爐管制程時(shí),金屬污染物(如鐵和銅)在硅中擴(kuò)散極快,假如它們由晶片表面進(jìn)人硅基材,會(huì)導(dǎo)致器件性能降低,如少數(shù)載流子

壽命降低和PN結(jié)附近漏電流增大。鈉在二氧化硅中擴(kuò)散快。氧化層中少量鈉就會(huì)引起MOS場(chǎng)效應(yīng)管開啟電壓的不穩(wěn)定,也可降低閘氧化層的擊穿電壓。